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公开(公告)号：CN101454244B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200780019447.1
申请日：2007-05-25
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C01B33/023 , H01L31/04
CPC classification number: C01B33/023 , C25B1/006 , H01L31/04 , H01L31/1804 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种低成本制造高纯度硅的新方法。特别是公开了一种低成本制造适用作太阳能电池原料的高纯度硅的新方法。具体而言，公开了一种制造硅的方法，其中二氧化硅在电解容器中进行熔盐电解，所述的方法顺序包括下面的步骤，步骤(1)其中通过使用含硅合金作为阴极并进行电解来提高该含硅合金(其在电解温度时为液相)中的硅含量；步骤(2)其中在达到硅在电解温度开始沉淀的浓度之前，将阴极中的含硅合金从电解容器中取出；步骤(3)其中在高于低共熔点但低于电解温度的温度范围内通过冷却取出的含硅合金来固化硅；和步骤(4)其中收集固化的硅。
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公开(公告)号：CN102449201A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023062.4
申请日：2010-05-24
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C25C3/00 , C01B33/037 , C25B1/00 , C25C3/34
CPC classification number: C25C3/00 , C01B33/037 , C25B1/006 , C25C3/34 , C25C7/08
Abstract: 本发明涉及精炼的金属或准金属的制造方法，该方法具备以下工序：电解工序，在设置于电解池内的电解浴中，以含有金属元素或准金属元素以及杂质的材料作为阳极；以含有与阳极中所含的金属元素或准金属元素同种的金属元素或准金属元素、和实质上不与金属元素或准金属元素形成固溶体的溶剂金属，并具有比金属元素或准金属元素的熔点低的完全凝固温度的合金作为阴极发挥作用，在合金可形成液相的电解温度下进行电解，由此使阳极中的金属元素或准金属元素向阴极的合金中移动；取出工序，然后将阴极的合金的一部分或全部取出到电解池外；析出工序，在比完全凝固温度高且比电解温度低的温度下，将取出的合金冷却，由此使合金中所含的金属元素或准金属元素析出；和回收工序，从冷却的合金中回收析出的金属元素或准金属元素。
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公开(公告)号：CN1673416A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510009082.7
申请日：2005-01-19
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C22B7/007 , C22B3/045 , C22B25/04 , C22B25/06 , C22B58/00 , Y02P10/228 , Y02P10/234
Abstract: 作为再利用ITO烧结体的有效方法，本发明提供了制备含铟水溶液的方法，其包括使含铟离子和锡离子的酸性溶液进行电解处理沉淀金属锡的步骤和除去或再溶解沉淀的金属锡的步骤。
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公开(公告)号：CN101454244A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019447.1
申请日：2007-05-25
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C01B33/023 , H01L31/04
CPC classification number: C01B33/023 , C25B1/006 , H01L31/04 , H01L31/1804 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种低成本制造高纯度硅的新方法。特别是公开了一种低成本制造适用作太阳能电池原料的高纯度硅的新方法。具体而言，公开了一种制造硅的方法，其中二氧化硅在电解容器中进行熔盐电解，所述的方法顺序包括下面的步骤，步骤(1)其中通过使用含硅合金作为阴极并进行电解来提高该含硅合金(其在电解温度时为液相)中的硅含量；步骤(2)其中在达到硅在电解温度开始沉淀的浓度之前，将阴极中的含硅合金从电解容器中取出；步骤(3)其中在高于低共熔点但低于电解温度的温度范围内通过冷却取出的含硅合金来固化硅；和步骤(4)其中收集固化的硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101243014A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680030044.2
申请日：2006-08-18
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 三枝邦夫
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033
Abstract: 本发明提供硅的制备方法。该硅的制备方法含有通过金属将式(1)所示的卤代硅烷还原的步骤(i)，SiHnX4－n(1)[式中，n为0～3的整数，X为选自F、Cl、Br和I中的至少1种，X为多个时，多个X可以彼此相同或不同。]所述金属的熔点为1300℃以下，在还原反应时为液相且其液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为r(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A)、(B)和(C)，此外为薄膜状的情况下，其厚度为r’(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A’)、(B’)和(C)。ln(r/)≤(10.5－7000/(x+273)) (A) ln(r’/)≤(10.5－7000/(x+273)) (A’)1≤r≤250 (B) 1≤r’≤500 (B’) 400≤x≤1300 (C)。
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公开(公告)号：CN102245506A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149707.6
申请日：2009-12-10
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人物质.材料研究机构
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033
Abstract: 硅的制造方法，其具备在等离子体P中加热包含选自Mg、Ca和Al中的至少一种的金属粉末Mp1的加热工序、和用在等离子体P中加热过的金属粉末Mp2还原卤代硅烷G1而得到硅的还原工序。
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公开(公告)号：CN101243014B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680030044.2
申请日：2006-08-18
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 三枝邦夫
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033
Abstract: 本发明提供硅的制备方法。该硅的制备方法含有通过金属将式(1)所示的卤代硅烷还原的步骤(i)，SiHnX4-n(1)[式中，n为0～3的整数，X为选自F、Cl、Br和I中的至少1种，X为多个时，多个X可以彼此相同或不同。]所述金属的熔点为1300℃以下，在还原反应时为液相且其液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为r(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A)、(B)和(C)，此外为薄膜状的情况下，其厚度为r’(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A’)、 (B’)和(C)。1≤r＜250 (B)1≤r’＜500 (B’)400
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公开(公告)号：CN102119122A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131226.2
申请日：2009-08-10
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01B33/037 , C22B9/10 , C22B15/14 , C22B23/06 , C22B41/00
CPC classification number: C22B9/05 , C01B33/037 , C22B9/10 , C22B9/14 , C22B41/00
Abstract: 本发明可以从以硅等半金属元素或金属元素为主成分且含有杂质的材料中高效获得提纯的材料。还涉及材料的提纯方法，该方法是使以半金属元素或金属元素为主成分且含有杂质的材料与下述通式(1)所示的化合物接触，除去材料中的杂质。AlX3(1)，式中X为卤素原子。
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公开(公告)号：CN101208267A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680023138.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033
Abstract: 本发明提供一种高纯度硅的制造方法。高纯度的硅的制造方法是将下式(1)所示的卤化硅用铝还原制造硅的方法，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上。SiHnX4－n(1)(式中，n是0～3的整数，X是选自F、Cl、Br、I的1种或2种以上的卤原子。这里，铝的纯度是由100重量％减去铝中含有的铁、铜、镓、钛、镍、钠、镁和锌的总重量％得到的)。
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