公开(公告)号：CN117402278A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310416684.2

申请日：2023-04-18

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  禹智勋

IPC: C08F212/14 ,  G03F7/20 ,  C08F220/14 ,  C08F8/42 ,  C08F8/00

Abstract: 提供了一种用于光刻的垫层组合物、使用其形成的多层结构及使用其制造半导体装置的方法。所述用于光刻的垫层组合物包括单分子或共聚物，其中，所述单分子具有乙烯基(‑CH＝CH2)，其中，共聚物包括具有第一官能团的第一重复单元。第一官能团由化学式1至化学式4中的一种表示。

公开(公告)号：CN117075429A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310558252.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  金佳映

IPC: G03F7/11 ,  C07F7/22 ,  C07C309/31 ,  C07C303/32 ,  C08F222/40 ,  C08F212/08 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了光刻用垫层化合物、多层结构以及制造半导体装置的方法，该光刻用垫层化合物改善光致抗蚀剂层的分辨率和灵敏度，抑制光致抗蚀剂图案的倒塌，并具有改善的耐蚀刻性。该光刻用垫层化合物包括交替共聚物或烷基化锡氧化物纳米簇，交替共聚物包括由式1表示的重复单元，烷基化锡氧化物纳米簇具有抗衡阴离子：[式1]#imgabs0#在式1中，R1、R2、R3、R4、R5、A和n各自与说明书中描述的相同。

公开(公告)号：CN118550156A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197554.9

申请日：2024-02-22

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  金民承

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 提供了光刻用垫层化合物、多层结构以及用于制造半导体装置的方法，所述垫层化合物可以改善抗蚀剂膜的分辨率和灵敏度，抑制抗蚀剂图案的倒塌，并且具有改善的耐蚀刻性。所述垫层化合物包括由式1表示的锡‑氧纳米簇的交联材料。[式1][(R‑Sn)12O14(OH)6]2+[Rx‑]2在式1中，R为1个至20个碳原子的烷基，并且Rx‑是抗衡阴离子，并且是烷基苯磺酸根阴离子。

公开(公告)号：CN118255652A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311421979.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  金佳映 ,  具叡珍

IPC: C07C43/23 ,  H01L21/027 ,  C07C41/03 ,  C07F7/18

Abstract: 提供了一种用于光刻的抗蚀剂化合物、用于形成该抗蚀剂化合物的方法以及使用该抗蚀剂化合物的用于制造半导体装置的方法。该抗蚀剂化合物由式1表示。这里，式1与说明书中所描述的相同。

公开(公告)号：CN117069867A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310552927.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  安炯柱

IPC: C08B11/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了用于光刻的抗蚀剂化合物和垫层化合物、多层结构以及用于制造半导体装置的方法。所述抗蚀剂化合物和所述垫层化合物可以改善抗蚀剂图案的分辨率和灵敏度并且抑制抗蚀剂图案的塌陷。所述垫层化合物包括具有至少一个羟基(‑OH)和至少一个乙烯基甲硅烷基的纤维素结构。所述抗蚀剂化合物包括具有抗衡阴离子的烷基化金属氧化物纳米簇。