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公开(公告)号：CN117069867A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310552927.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 仁荷大学校产学协力团
IPC: C08B11/20 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 提供了用于光刻的抗蚀剂化合物和垫层化合物、多层结构以及用于制造半导体装置的方法。所述抗蚀剂化合物和所述垫层化合物可以改善抗蚀剂图案的分辨率和灵敏度并且抑制抗蚀剂图案的塌陷。所述垫层化合物包括具有至少一个羟基(‑OH)和至少一个乙烯基甲硅烷基的纤维素结构。所述抗蚀剂化合物包括具有抗衡阴离子的烷基化金属氧化物纳米簇。
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