公开(公告)号：CN118255652A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311421979.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  金佳映 ,  具叡珍

IPC: C07C43/23 ,  H01L21/027 ,  C07C41/03 ,  C07F7/18

Abstract: 提供了一种用于光刻的抗蚀剂化合物、用于形成该抗蚀剂化合物的方法以及使用该抗蚀剂化合物的用于制造半导体装置的方法。该抗蚀剂化合物由式1表示。这里，式1与说明书中所描述的相同。

公开(公告)号：CN117075429A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310558252.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 仁荷大学校产学协力团

Inventor： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  金佳映

IPC: G03F7/11 ,  C07F7/22 ,  C07C309/31 ,  C07C303/32 ,  C08F222/40 ,  C08F212/08 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了光刻用垫层化合物、多层结构以及制造半导体装置的方法，该光刻用垫层化合物改善光致抗蚀剂层的分辨率和灵敏度，抑制光致抗蚀剂图案的倒塌，并具有改善的耐蚀刻性。该光刻用垫层化合物包括交替共聚物或烷基化锡氧化物纳米簇，交替共聚物包括由式1表示的重复单元，烷基化锡氧化物纳米簇具有抗衡阴离子：[式1]#imgabs0#在式1中，R1、R2、R3、R4、R5、A和n各自与说明书中描述的相同。