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公开(公告)号：CN111316425B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201880068385.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种金属端子与线路导体的特性阻抗匹配容易的接合构造体等。接合构造体(C)等具备：金属端子(1)，其具有端面(1a)；线路导体(2)，其具有金属端子(1)的端面(1a)的一部分所对置的侧面(2a)；以及接合材料(3)，其包含金属粒子，并且设为从包含金属端子(1)的端面(1a)的第一端部(1b)覆盖到包含线路导体(2)的侧面(2a)的第二端部(2b)，并接合于金属端子(1)以及线路导体(2)。
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公开(公告)号：CN109560062B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811029028.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种“接合构造及半导体封装”。一种接合构造，具备：金属端子，具有端部；线路导体，所述金属端子的所述端部位于所述线路导体；以及接合部，将所述金属端子的所述端部与所述线路导体接合，所述接合部具有：第一接合件，含有金属粒子，并包含位于所述金属端子的所述端部与所述线路导体之间的部分；以及第二接合件，含有金属粒子以及位于所述金属粒子间的空隙，并夹存于所述第一接合件与所述线路导体之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983335B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201780072531.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明涉及抑制了检测精度的降低的传感器用布线基板、传感器用封装件以及传感器装置。气体传感器用布线基板(1)具备：基体(2)，其具有收容传声器元件(20)的第一收容凹部(2a)和收容红外线发光元件(21)的第二收容凹部(2b)；和连接布线(3)。在气体传感器用布线基板(1)中，使第一收容凹部(2a)的底面与第二收容凹部的底面(2b)之间的传热路径的热阻比虚拟地将第一收容凹部(2a)的深度与第二收容凹部(2b)的深度设定为相同的情况下的传热路径的任意位置的热阻大。例如，使第二收容凹部(2b)的深度比第一收容凹部(2a)的深度深。
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公开(公告)号：CN117936483A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410061659.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 提供一种接合构造体、半导体封装件以及半导体装置。本发明涉及一种金属端子与线路导体的特性阻抗匹配容易的接合构造体等。接合构造体(C)等具备：金属端子(1)，其具有端面(1a)；线路导体(2)，其具有金属端子(1)的端面(1a)的一部分所对置的侧面(2a)；以及接合材料(3)，其包含金属粒子，并且设为从包含金属端子(1)的端面(1a)的第一端部(1b)覆盖到包含线路导体(2)的侧面(2a)的第二端部(2b)，并接合于金属端子(1)以及线路导体(2)。
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公开(公告)号：CN111316425A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880068385.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种金属端子与线路导体的特性阻抗匹配容易的接合构造体等。接合构造体(C)等具备：金属端子(1)，其具有端面(1a)；线路导体(2)，其具有金属端子(1)的端面(1a)的一部分所对置的侧面(2a)；以及接合材料(3)，其包含金属粒子，并且设为从包含金属端子(1)的端面(1a)的第一端部(1b)覆盖到包含线路导体(2)的侧面(2a)的第二端部(2b)，并接合于金属端子(1)以及线路导体(2)。
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公开(公告)号：CN109983335A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072531.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明涉及抑制了检测精度的降低的传感器用布线基板、传感器用封装件以及传感器装置。气体传感器用布线基板(1)具备：基体(2)，其具有收容传声器元件(20)的第一收容凹部(2a)和收容红外线发光元件(21)的第二收容凹部(2b)；和连接布线(3)。在气体传感器用布线基板(1)中，使第一收容凹部(2a)的底面与第二收容凹部的底面(2b)之间的传热路径的热阻比虚拟地将第一收容凹部(2a)的深度与第二收容凹部(2b)的深度设定为相同的情况下的传热路径的任意位置的热阻大。例如，使第二收容凹部(2b)的深度比第一收容凹部(2a)的深度深。
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公开(公告)号：CN109560062A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811029028.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种“接合构造及半导体封装”。一种接合构造，具备：金属端子，具有端部；线路导体，所述金属端子的所述端部位于所述线路导体；以及接合部，将所述金属端子的所述端部与所述线路导体接合，所述接合部具有：第一接合件，含有金属粒子，并包含位于所述金属端子的所述端部与所述线路导体之间的部分；以及第二接合件，含有金属粒子以及位于所述金属粒子间的空隙，并夹存于所述第一接合件与所述线路导体之间。
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