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公开(公告)号：CN105940149A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006861.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: H01L29/1608 , C01B32/956 , C30B7/005 , C30B15/04 , C30B29/36
Abstract: 本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4)，第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。
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