公开(公告)号：CN1976222B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200610163537.5

申请日：2006-11-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 卷渕大辅 ,  大塚一弘 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/0038 ,  H03H9/0057 ,  H03H9/008 ,  H03H9/14588

Abstract: 本发明公开一种声表面波元件(1)，其具有：压电基板(19)；以及沿着在所述压电基板(19)上传输的声表面波的传输方向所形成的3个以上的奇数个IDT电极(3、4、5)，在所述奇数个IDT电极(3、4、5)中形成于中央的IDT电极(4)的两侧所配置的IDT电极(3、5)上，分别连接有第1与第2接地用端子(14、15)，所述第1与第2接地用端子(14、15)，相对从所述形成于中央的IDT电极(3)的中心通过并设置与所述传输方向相垂直的方向上的假想中心轴(A)，形成为非对称。

公开(公告)号：CN1741378A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510095974.3

申请日：2005-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 尾原郁夫 ,  卷渕大辅 ,  村冈邦彦 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02614 ,  H03H9/02921

Abstract: 本发明涉及一种声表面波元件，在钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体所构成的、含氧量比化学计量比组成少的弱热电性的压电基板(1)上，形成氧化层(2)，在其之上形成IDT电极(3)。因此，能够消除弱热电性的压电基板的热电效应所导致的微细电极的静电破坏，且不会发生频率特性的劣化。

公开(公告)号：CN1976222A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163537.5

申请日：2006-11-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 卷渕大辅 ,  大塚一弘 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/0038 ,  H03H9/0057 ,  H03H9/008 ,  H03H9/14588

Abstract: 本发明公开一种声表面波元件(1)，其具有：压电基板(19)；以及沿着在所述压电基板(19)上传输的声表面波的传输方向所形成的3个以上的奇数个IDT电极(3、4、5)，在所述奇数个IDT电极(3、4、5)中形成于中央的IDT电极(4)的两侧所配置的IDT电极(3、5)上，分别连接有第1与第2接地用端子(14、15)，所述第1与第2接地用端子(14、15)，相对从所述形成于中央的IDT电极(3)的中心通过并设置与所述传输方向相垂直的方向上的假想中心轴(A)，形成为非对称。

公开(公告)号：CN1870425B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610087834.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大塚一弘 ,  卷渕大辅 ,  仲井刚 ,  福浦笃臣 ,  田中宏行 ,  尾原郁夫 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25

Abstract: 在压电基板(1)上，沿着在压电基板(1)上传播的弹性表面波的传播方向设置有多个IDT电极(2)～(7)，上述多个IDT电极(2)～(7)具有沿与传播方向垂直的方向延伸的多条电极指，同时，在多个IDT电极(2)～(7)中相邻两个IDT电极，分别由可变间距部分与固定间距部分来构成，可变间距部分的电极指间距趋向相邻两个IDT电极的边界逐渐变短，在两个可变间距部分中电极指间距的最小部位于从边界偏移单侧。从而，可以提供通频带宽较宽、插入损失较小、并且改善通频带的平坦性的弹性表面波装置。

公开(公告)号：CN1741378B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510095974.3

申请日：2005-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 尾原郁夫 ,  卷渕大辅 ,  村冈邦彦 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02614 ,  H03H9/02921

Abstract: 本发明涉及一种声表面波元件，在钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体所构成的、含氧量比化学计量比组成少的弱热电性的压电基板(1)上，形成氧化层(2)，在其之上形成IDT电极(3)。因此，能够消除弱热电性的压电基板的热电效应所导致的微细电极的静电破坏，且不会发生频率特性的劣化。

公开(公告)号：CN1870425A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610087834.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大塚一弘 ,  卷渕大辅 ,  仲井刚 ,  福浦笃臣 ,  田中宏行 ,  尾原郁夫 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25

Abstract: 在压电基板(1)上，沿着在压电基板(1)上传播的弹性表面波的传播方向设置有多个IDT电极(2)～(7)，上述多个IDT电极(2)～(7)具有沿与传播方向垂直的方向延伸的多条电极指，同时，在多个IDT电极(2)～(7)中相邻两个IDT电极，分别由可变间距部分与固定间距部分来构成，可变间距部分的电极指间距趋向相邻两个IDT电极的边界逐渐变短，在两个可变间距部分中电极指间距的最小部位于从边界偏移单侧。从而，可以提供通频带宽较宽、插入损失较小、并且改善通频带的平坦性的弹性表面波装置。