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发明公开
用于蚀刻、剥离和清洁应用的胺氧化物审中-实审

公开(公告)号：CN115885027A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180052444.8

申请日：2021-08-16

Applicant: 亨斯迈石油化学有限责任公司

Inventor： 周晖 , M·麦考密克 , J·乌里亚特 , K·张

IPC: C11D7/04

Abstract: 本发明涉及一种清洁微电子基材如半导体器件的方法，所述方法通过在足以清洁微电子基材的温度下使所述基材与选自N,N‑二甲基乙醇胺N‑氧化物、三乙醇胺N‑氧化物、乙胺,2,2′‑氧双[N,N‑二甲基‑,N,N′‑二氧化物]、1‑甲基吡咯烷N‑氧化物、N,N‑二甲基环己胺N‑氧化物和它们的混合物的胺氧化物接触一定时间进行。

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