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公开(公告)号：CN108654816B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810421097.1
申请日：2018-05-04
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，多晶硅硅棒进行预处理，通过筛分装置将棒料及块料进行分离，块料进入第一鉴别分类装置，并按照块料的不同种类将其区分；棒料进入第二鉴别分类装置，按照棒料的不同种类将其区分，进入棒料处理装置的不同的棒料收集装置内，用户需要的棒料时，通入棒料包装装置中进行包装；用户需要块料时，通入破碎装置中进行破碎。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，节省操作人员操作时间，避免了因人为操作引进的污染，提高效率，节省成本。本发明提供的多晶硅硅棒破碎方法，包括上述的多晶硅硅棒破碎系统，因此也具有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN106865553B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710083827.7
申请日：2017-02-16
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
CPC分类号： B01J31/08 , B01J31/4007 , B01J38/64 , B01J38/66 , C01B33/1071 , Y02P20/584
摘要： 本发明提供一种制备三氯氢硅的树脂催化剂的活化方法，属于催化剂活化技术领域。将氯硅烷原料通入具有树脂催化剂和活化剂的反应器中得到三氯氢硅和活化剂中间体。氯硅烷原料包括四氯化硅、二氯二氢硅和少量的杂质BCl3。活化剂的碱性大于树脂催化剂的碱性，活化剂对BCl3的吸附强于树脂催化剂对BCl3的吸附，避免BCl3与树脂催化剂形成稳定化合物，延长了树脂催化剂使用寿命，活化效果明显，使树脂保持良好的性能，制备三氯氢硅的反应持续稳定地进行，树脂催化剂的活化在线完成，防止停产进行更换时在室外造成对树脂催化剂的二次污染，不影响生产的正常运行，洁净、环保，经济效益显著。
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公开(公告)号：CN108043611B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201711294247.9
申请日：2017-12-08
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种还原炉冷喷涂方法，该喷涂方法的喷涂系统包括有气体工作站、气体预加热器、气体加热器、粉末填充装置、喷枪、中央控制单元、自动机械臂、还原炉钟罩支架和还原炉钟罩清洗工作站，还原炉钟罩支架推动还原炉钟罩做圆周运动，而喷枪做往复直线运动和往复圆弧运动，工作载气携带原材料粉末从喷枪喷在还原炉钟罩的内表面形成涂层。本发明提供的喷涂系统及方法可以实现还原炉内壁在大气气氛中的高速喷涂，所有监控和调控均在中央控制单元进行，可实现还原炉钟罩内壁喷涂的全自动化和智能化；两级加热可以将载气和原料的污染降到最低，保障涂层的原始性能；采用低压仓储存原材料，解决原材料易氧化、易污染的问题。
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公开(公告)号：CN105855013B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610444539.5
申请日：2016-06-17
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
摘要： 本发明公开一种固体粉末磨样装置及制备方法。该装置由振动磨机架、振动磨机架盖板、驱动振动磨的电机以及设置于振动磨机架上的研磨钵组成，所述振动磨机架上设置有用于移动研磨钵的机械手和用于驱动机械手运动的手抓电机，在振动磨机架内还设置有用于收集物料的废料收集箱。本装置采用机械臂手抓，将原本人工取放研磨钵的操作，替换为机械操作，降低劳动量；振动磨机架盖板为研磨钵提供了支架；所述废料收集箱能够将磨好的试料在封闭的腔体内统一收集；采用本发明后，增加了磨样机的自动化程度，提高工作效率，减少人力投入方便废料收集，减少粉尘对人体的危害。
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公开(公告)号：CN108439413A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810467385.0
申请日：2018-05-16
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法，属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气，在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率，降低反应体系的温度。
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公开(公告)号：CN108383125A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810454678.5
申请日：2018-05-14
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/027
摘要： 本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN106082185B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610402890.8
申请日：2016-06-08
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC分类号： C01B32/21
摘要： 一种提高普通石墨制品机械强度的方法，包含以下步骤：1)加工成型的石墨制品浸泡在压力为1.5—2.0MPa高压储罐中的四氯化硅溶液中；2)2h后泄至常压，取出石墨制品浸泡在水中，使浸透于石墨制品气孔内部的四氯化硅遇水生成二氧化硅；3)反应完成后，取出擦拭水分，浸渍在浸渍液储罐中，浸渍液储罐压力为3.5—4.0MPa，使浸渍液能完全渗透石墨制品；4)浸渍2‑3h后，对浸渍液储罐泄压至常压状态，取出石墨制品常温静置4h；用有机试剂将石墨制品表面析出的树脂擦拭干净；5)浸渍过的石墨制品分别在30—40℃、70—80℃和110——120℃下烘4h、4h和8h；6)再将海泡石粉填充在石墨制品的微孔内。
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公开(公告)号：CN107500297B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710858756.3
申请日：2017-09-21
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘，导致物料损失的问题，提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
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公开(公告)号：CN107601510B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710858917.9
申请日：2017-09-21
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的装置及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的装置，其包括用于将经导流口流出的熔融液硅分散的旋转装置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；熔融多晶硅经导流口落在高速旋转的转盘上，高速转盘沿切向甩出分散多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的装置，因此也具备有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN107748312A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710948079.4
申请日：2017-10-12
申请人： 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC分类号： G01R31/02 , G01R19/12 , C01B33/035
CPC分类号： G01R31/025 , C01B33/035 , G01R19/12
摘要： 本发明涉及多晶硅生产设备领域，公开了一种漏电检测系统及多晶硅还原炉。漏电检测系统包括接地线及电流微分检测模块，电流微分检测模块可检测出接地线中漏电电流幅值变化率，因此，根据电流微分检测模块检测结果可判断出还原炉内接地短路故障类型是属于电极处粉尘积累、结硅造成的短路还是硅棒倒棒造成的短路。从而决定是否停炉处理或继续运行，根据实际情况，减小了因误判断停炉而造成巨大的经济损失。本发明的多晶硅还原炉安装有该漏电检测系统，其炉体的炉壁通过接地线接地，因此可以便于技术人员判断还原炉中的短路类型。
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