-
公开(公告)号：CN117388319A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311272984.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物电阻率测量方法，首先在基板表面依次形成阻挡层、金属种子层、第一金属层和第二金属层；随后低温回流引发原位冶金反应，然后通过固相热处理推进金属间化合物平坦化生长，并通过电解抛光去除未反应的第二金属层，得到面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物；最后通过四探针法测试依附于基板的可测试性的面向芯粒互连焊点的界面金属间化合物的电阻率。本发明技术可制备层厚可控、成分准确、高表面平整度、高致密度的可测试性界面金属间化合物，为芯粒互连焊点界面金属间化合物电阻率测量提供了一条可行路径，其实现方法简单，技术灵活，具有普适性。
-
公开(公告)号：CN116992820B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311260288.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本申请涉及一种基于芯粒集成的可扩展智能计算芯片结构，其中，芯片结构包括：所述芯片结构包括中间介质层以及堆叠在所述中间介质层上的I/O芯粒、内存接口芯粒、RISC‑V控制芯粒以及至少一个计算芯粒堆叠组，并基于芯粒集成技术实现各功能芯粒的互连，本发明能够根据算力需求，配置计算芯粒堆叠组内部的计算核心数量，也可以配置计算芯粒堆叠组的数量，以配合其他功能芯粒，灵活地搭建智能计算芯片系统，具有高度可扩展性，各个功能芯粒可以不具备完整的功能，可以只具备实现特定功能的能力，各芯粒按照设计要求，进行灵活配置，满足针对不同场景的定制化需求，最大程度实现智能计算芯片的柔性定制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116992820A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311260288.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本申请涉及一种基于芯粒集成的可扩展智能计算芯片结构，其中，芯片结构包括：所述芯片结构包括中间介质层以及堆叠在所述中间介质层上的I/O芯粒、内存接口芯粒、RISC‑V控制芯粒以及至少一个计算芯粒堆叠组，并基于芯粒集成技术实现各功能芯粒的互连，本发明能够根据算力需求，配置计算芯粒堆叠组内部的计算核心数量，也可以配置计算芯粒堆叠组的数量，以配合其他功能芯粒，灵活地搭建智能计算芯片系统，具有高度可扩展性，各个功能芯粒可以不具备完整的功能，可以只具备实现特定功能的能力，各芯粒按照设计要求，进行灵活配置，满足针对不同场景的定制化需求，最大程度实现智能计算芯片的柔性定制。
-
公开(公告)号：CN116204387B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310461391.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片电流的预测方法、装置、介质及电子设备，采用可解释人工智能技术，获取芯片中的任务负载状态以及指令集，该任务负载状态包括运算单元任务负载状态和缓存单元任务负载状态。将该芯片的任务负载状态输入到第一回归模型，以使第一回归模型确定该芯片维持该任务负载状态的所需电流。并将该指令集输入第二回归模型，以使第二回归模型确定该芯片执行该指令集中的指令后的电流变化值。根据该芯片维持该任务负载状态的所需电流以及该芯片执行该指令集中包含的指令后的电流变化值，以确定该芯片的增量电流。实现了对芯片维持作业的电流的预测，且因为第一回归模型与第二回归模型具备可解释性，提高了预测电流作业的可靠性及可控性。
-
公开(公告)号：CN116721911A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310777193.0
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法及制造的键合晶圆、芯片和半导体器件，该晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆上具有第一介质层，第一介质层具有第一凹槽；提供第二晶圆，第二晶圆上具有第二介质层，第二介质层具有第二凹槽；在第一凹槽内形成第一导电层和第一界面改性层，在第二凹槽内形成第二导电层和第二界面改性层；对第一晶圆和第二晶圆进行键合，使第一凹槽和第二凹槽之间相对应，第一介质层和第二介质层之间相对固定，第一界面改性层和第二界面改性层之间通过在预设条件下发生冶金反应使第一晶圆和第二晶圆之间相互固定。可实现，提高晶圆间键合力学性能和电学性能，同时降低键合工艺要求。
-
公开(公告)号：CN117199026A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311472707.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/38 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/427
Abstract: 本公开是关于一种散热装置、散热控制方法及装置、电子设备。散热装置用于对晶圆级芯片进行散热，所述散热装置包括；第一基板；第二基板；半导体制冷器，所述半导体制冷器连接于所述第一基板和所述第二基板之间，所述半导体制冷器包括相互独立的多个散热单元；电源模块，所述电源模块与每一散热单元电连接，以用于为每一所述散热单元分别进行供电，并使得每一散热单元形成朝向所述第一基板的冷端和朝向所述第二基板的热端。
-
公开(公告)号：CN116204387A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310461391.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片电流的预测方法、装置、介质及电子设备，采用可解释人工智能技术，获取芯片中的任务负载状态以及指令集，该任务负载状态包括运算单元任务负载状态和缓存单元任务负载状态。将该芯片的任务负载状态输入到第一回归模型，以使第一回归模型确定该芯片维持该任务负载状态的所需电流。并将该指令集输入第二回归模型，以使第二回归模型确定该芯片执行该指令集中的指令后的电流变化值。根据该芯片维持该任务负载状态的所需电流以及该芯片执行该指令集中包含的指令后的电流变化值，以确定该芯片的增量电流。实现了对芯片维持作业的电流的预测，且因为第一回归模型与第二回归模型具备可解释性，提高了预测电流作业的可靠性及可控性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.025 seconds)
