公开(公告)号：CN117293185A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311325117.2

申请日：2023-10-13

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓 ,  马明磊 ,  钱浩吉 ,  张洪瑞 ,  沈荣宗 ,  金成吉 ,  谷超明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明公开了一种具有金属插入层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括衬底，所述衬底的上方生长有氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；在铁电介质层和氧化物半导体层的上方沉积有金属插入层；在源区和漏区的上方分别设置有源极和漏极，在金属插入层的上方设置有栅极；其中，所述金属插入层的热膨胀系数与栅极的热膨胀系数相匹配；通过调整铁电介质层的极化状态来调节铁电场效应晶体管的源极和漏极间的导通状态，从而使得铁电场效应晶体管在逻辑0状态和逻辑1状态之间切换。

公开(公告)号：CN117219671A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311325444.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  金成吉 ,  玉虓 ,  张洪瑞 ,  沈荣宗 ,  钱浩吉 ,  谷超明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种具有双层沟道层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管根据栅极的相对位置可分为两种结构：顶栅结构、底栅结构；顶栅结构包括：自下而上分布的衬底、p型氧化物半导体层、n型氧化物半导体层、铁电介质层、顶栅电极以及分布在半导体层上表面两侧的源漏电极；底栅结构包括：自下而上分布的衬底、底栅电极、铁电介质层、p型氧化物半导体层、n型氧化物半导体层以及分布在半导体层上表面两侧的源漏电极。铁电场效应晶体管的沟道层具有叠层结构，当栅极施加正电压或负电压时，使得铁电场效应晶体管在逻辑0状态和逻辑1状态之间切换，可以提高铁电层极化翻转效率，实现更大的存储窗口。

公开(公告)号：CN116110954A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310108317.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓 ,  沈荣宗 ,  金成吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括：自下而上分布的衬底、底栅极、第一铁电介质层、氧化物半导体层、第二铁电介质层和顶栅极；源极和漏极分别设置于氧化物半导体层的上表面的两侧；通过调整第一铁电介质层和第二铁电介质层的极化状态来调整半导体表面状态，从而调节晶体管源极和漏极间的导通状态，以区别逻辑0状态和逻辑1状态；逻辑1状态为：当底栅极和顶栅极同时施加大于铁电介质层矫顽场的正向电压时，使铁电场效应晶体管处于呈现低阈值电压状态，即逻辑1状态；逻辑0状态为：当底栅极和顶栅极同时施加小于负矫顽场的反向电压时，使铁电场效应晶体管处于呈现高阈值电压状态，即逻辑0状态。