公开(公告)号：CN117135965A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311212520.4

申请日：2023-09-19

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/121 ,  H10K59/124 ,  H10K59/131 ,  H10K59/122

Abstract: 本申请涉及一种有机发光显示面板的背板结构，该结构通过在设置于薄膜晶体管基板上的有机显示层内设置辅助电极区域，辅助电极区域设在薄膜晶体管基板的基板辅助电极上方，在辅助电极区域内设有底切结构和边缘接触结构；其中，有机显示层的阴极层在低切结构内部与基板辅助电极搭接；阴极层还与有机显示层的阳极辅助电极的侧壁搭接，形成边缘接触结构，阳极辅助电极的底部与基板辅助电极搭接，从而使阴极层在底切结构和边缘接触结构处形成多处连接，不仅改善了由于阴极较薄而导致的IR Drop问题，并且避免因一种结构失效而导致IR Drop不能被改善的情况，解决了阴极与辅助电极搭接可靠性差的问题。

公开(公告)号：CN117293185A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311325117.2

申请日：2023-10-13

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓 ,  马明磊 ,  钱浩吉 ,  张洪瑞 ,  沈荣宗 ,  金成吉 ,  谷超明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明公开了一种具有金属插入层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括衬底，所述衬底的上方生长有氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；在铁电介质层和氧化物半导体层的上方沉积有金属插入层；在源区和漏区的上方分别设置有源极和漏极，在金属插入层的上方设置有栅极；其中，所述金属插入层的热膨胀系数与栅极的热膨胀系数相匹配；通过调整铁电介质层的极化状态来调节铁电场效应晶体管的源极和漏极间的导通状态，从而使得铁电场效应晶体管在逻辑0状态和逻辑1状态之间切换。

公开(公告)号：CN117219671A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311325444.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  金成吉 ,  玉虓 ,  张洪瑞 ,  沈荣宗 ,  钱浩吉 ,  谷超明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种具有双层沟道层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管根据栅极的相对位置可分为两种结构：顶栅结构、底栅结构；顶栅结构包括：自下而上分布的衬底、p型氧化物半导体层、n型氧化物半导体层、铁电介质层、顶栅电极以及分布在半导体层上表面两侧的源漏电极；底栅结构包括：自下而上分布的衬底、底栅电极、铁电介质层、p型氧化物半导体层、n型氧化物半导体层以及分布在半导体层上表面两侧的源漏电极。铁电场效应晶体管的沟道层具有叠层结构，当栅极施加正电压或负电压时，使得铁电场效应晶体管在逻辑0状态和逻辑1状态之间切换，可以提高铁电层极化翻转效率，实现更大的存储窗口。

公开(公告)号：CN116110954A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310108317.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓 ,  沈荣宗 ,  金成吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括：自下而上分布的衬底、底栅极、第一铁电介质层、氧化物半导体层、第二铁电介质层和顶栅极；源极和漏极分别设置于氧化物半导体层的上表面的两侧；通过调整第一铁电介质层和第二铁电介质层的极化状态来调整半导体表面状态，从而调节晶体管源极和漏极间的导通状态，以区别逻辑0状态和逻辑1状态；逻辑1状态为：当底栅极和顶栅极同时施加大于铁电介质层矫顽场的正向电压时，使铁电场效应晶体管处于呈现低阈值电压状态，即逻辑1状态；逻辑0状态为：当底栅极和顶栅极同时施加小于负矫顽场的反向电压时，使铁电场效应晶体管处于呈现高阈值电压状态，即逻辑0状态。

公开(公告)号：CN116344345A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310219281.9

申请日：2023-03-03

Applicant: 之江实验室

Inventor： 林高波 ,  玉虓

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明涉及一种铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器。铁电场效应晶体管的制备方法包括以下步骤：在基底上形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区；在沟道区上形成铁电材料层，在铁电材料层上形成顶栅极；形成金属反应层以覆盖源区、漏区和顶栅极；在氧化性气氛中，于300℃～600℃下退火，诱导铁电材料层形成铁电相，得铁电介质层，并使源区和漏区的氧元素被金属反应层夺取，得导体化源区和导体化漏区；并使金属反应层自发氧化，得钝化层；在钝化层中形成源极和漏极。该法通过一次退火实现诱导铁电材料层形成铁电相、促使源/漏区导体化和淀积钝化层的功能，制得高性能和高耐久性的器件。