公开(公告)号：CN117038709B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311285992.2

申请日：2023-10-07

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘欢 ,  李东亚 ,  杨麒玉 ,  玉虓 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本说明书公开了一种可重构二维沟道晶体管及其制备方法。所述可重构二维沟道晶体管包括：衬底、沟道、源极、漏极、栅极，其中，沟道位于衬底上方，源极和漏极分别位于沟道两端，栅极位于沟道上方，源极包括：源区、源极可移动离子薄膜层、源极掺杂电极、源极金属电极，漏极包括：漏区、漏极可移动离子薄膜层、漏极掺杂电极、漏极金属电极，栅极包括：栅电介质层、栅金属电极，沟道、源区、漏区由双极性层状二维半导体材料构成。

公开(公告)号：CN117038709A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311285992.2

申请日：2023-10-07

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘欢 ,  李东亚 ,  杨麒玉 ,  玉虓 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本说明书公开了一种可重构二维沟道晶体管及其制备方法。所述可重构二维沟道晶体管包括：衬底、沟道、源极、漏极、栅极，其中，沟道位于衬底上方，源极和漏极分别位于沟道两端，栅极位于沟道上方，源极包括：源区、源极可移动离子薄膜层、源极掺杂电极、源极金属电极，漏极包括：漏区、漏极可移动离子薄膜层、漏极掺杂电极、漏极金属电极，栅极包括：栅电介质层、栅金属电极，沟道、源区、漏区由双极性层状二维半导体材料构成。