公开(公告)号：CN116190426A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310442153.0

申请日：2023-04-23

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘欢 ,  于飞 ,  寇潇 ,  玉虓 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本说明书公开了一种纳米片晶体管及纳米片晶体管的重构、制备方法，可以通过呈环形状包裹纳米片的源极可移动离子薄膜层以及漏极可移动离子薄膜层中的可移动离子，在施加在源极掺杂电极以及漏极掺杂电极的电信号作用下，所呈现的不同的极化状态，控制纳米片晶体管可以重构为P沟道晶体管或N沟道晶体管使用，从而可以提高纳米片晶体管的资源利用率，进而可以降低使用该纳米片晶体管的集成电路的成本。