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公开(公告)号：CN117968866A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410364189.6
申请日：2024-03-28
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种单次超短脉冲时空耦合测量方法、系统、设备、介质，系统包括：超短脉冲产生模块，所述超短脉冲产生模块出射超短啁啾脉冲，超短啁啾脉冲经空间调制模块调制后转变为待测超短脉冲；待测超短脉冲经编码板调制、条纹相机偏转后得到衍射光斑强度矩阵；还包括：同步控制模块，用于控制超短脉冲产生模块与条纹相机的时间同步，使条纹相机同步记录偏转后的衍射光斑强度矩阵分布；储存及计算模块，用于储存条纹相机记录的衍射光斑强度矩阵，并且计算待测超短脉冲的复振幅分布。本发明不需要非线性效应，适用于单次曝光测量超短脉冲的时空耦合，可用于大口径宽光谱的超短脉冲的时空相位测量，具备光路简单、性能稳定、高时空分辨的特点。
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公开(公告)号：CN116880010B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311143878.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法，包括衬底层、铌酸锂限制层、铌酸锂波导层、环形布拉格金属光栅层以及光纤；所述铌酸锂限制层设置于衬底层表面；所述铌酸锂波导层设置于铌酸锂限制层表面，且包括输入直波导、锥形波导、耦合波导，其中，输入直波导的一端与锥形波导的窄端等宽度相连，锥形波导的宽端与耦合波导的一端等宽度相连；所述环形布拉格金属光栅层设置于耦合波导上；所述光纤位于环形布拉格金属光栅层上方，不与环形布拉格金属光栅层直接接触。本发明通过制作工艺简单，流程独立且耦合效率高，在制备量产和成本优化等方面具有独特的优势，可广泛应用于铌酸锂片上集成器件和系统中。
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公开(公告)号：CN117118523A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311328293.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种信息传输系统、方法、装置、存储介质及电子设备。所述信息传输方法包括：接收光源生成的指定光信号，其中，指定光信号的不同偏振态用于传输各不同的指定图像数据，针对指定光信号的每个偏振态，通过该偏振态对应的起偏器，从指定光信号中得到该偏振态下的线偏振光信号，并将线偏振光信号入射至指定超表面，通过指定超表面基于入射的线偏振光信号，得到线偏振光信号对应的出射光信号，通过出射光信号，在接收模块的指定区域得到线偏振光信号对应的指定图像数据，并根据接收到的指定图像数据进行任务执行。
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公开(公告)号：CN116880010A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311143878.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法，包括衬底层、铌酸锂限制层、铌酸锂波导层、环形布拉格金属光栅层以及光纤；所述铌酸锂限制层设置于衬底层表面；所述铌酸锂波导层设置于铌酸锂限制层表面，且包括输入直波导、锥形波导、耦合波导，其中，输入直波导的一端与锥形波导的窄端等宽度相连，锥形波导的宽端与耦合波导的一端等宽度相连；所述环形布拉格金属光栅层设置于耦合波导上；所述光纤位于环形布拉格金属光栅层上方，不与环形布拉格金属光栅层直接接触。本发明通过制作工艺简单，流程独立且耦合效率高，在制备量产和成本优化等方面具有独特的优势，可广泛应用于铌酸锂片上集成器件和系统中。
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公开(公告)号：CN117192666A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311241712.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开涉及片上自由曲面反射透镜及其形成方法、光电子器件。本公开实施方式提供一种用于形成片上自由曲面反射透镜的方法，该方法包括：形成堆叠于衬底层的具有入射端、反射面及出射端的波导层，入射端和反射面沿垂直于堆叠方向的第一方向相对设置，反射面和出射端沿垂直于堆叠方向的第二方向相对设置，反射面用于将从入射端入射的光反射向出射端，其中，形成反射面的步骤包括：形成形状为自由曲面的反射面，且反射面用于将处在由第一方向和第二方向限定的面内的光聚焦；及形成覆盖波导层和衬底层的上包层。该方法所形成的片上自由曲面反射透镜能够反射光并能够实现聚焦，由于改变了光的传播方向，在提高聚焦效率的同时减小了透镜尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117968866B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410364189.6
申请日：2024-03-28
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种单次超短脉冲时空耦合测量方法、系统、设备、介质，系统包括：超短脉冲产生模块，所述超短脉冲产生模块出射超短啁啾脉冲，超短啁啾脉冲经空间调制模块调制后转变为待测超短脉冲；待测超短脉冲经编码板调制、条纹相机偏转后得到衍射光斑强度矩阵；还包括：同步控制模块，用于控制超短脉冲产生模块与条纹相机的时间同步，使条纹相机同步记录偏转后的衍射光斑强度矩阵分布；储存及计算模块，用于储存条纹相机记录的衍射光斑强度矩阵，并且计算待测超短脉冲的复振幅分布。本发明不需要非线性效应，适用于单次曝光测量超短脉冲的时空耦合，可用于大口径宽光谱的超短脉冲的时空相位测量，具备光路简单、性能稳定、高时空分辨的特点。
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公开(公告)号：CN116540368B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310749514.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
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公开(公告)号：CN117250829A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311186933.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请提供一种光刻胶除泡装置、系统及方法。其中，该光刻胶除泡装置包括光刻胶喷胶器、气泡检测传感器和气泡排除器，光刻胶喷胶器用于将光刻胶喷在载体表面。气泡检测传感器用于获取所述光刻胶中的气泡所在的位置。气泡排除器用于排除所述光刻胶中的气泡。可实现，在将光刻胶喷在载体表面之后，通过气泡检测传感器确定光刻胶中的气泡所在的位置，然后通过气泡排除器排除光刻胶表面产生的气泡，从而可以避免涂胶过程中气泡对光刻胶膜的质量产生影响，相较于常规方法，滴胶之后表面产生气泡的晶圆不需要去胶反工，提升了光刻工艺的效率和良率。
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公开(公告)号：CN117877975A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410274495.0
申请日：2024-03-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/311
Abstract: 本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN117192674A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311262125.7
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的硅波导偏振滤波器，包括依次设置的硅衬底层、二氧化硅下包层、硅波导、聚合物波导和二氧化硅上包层；所述聚合物波导中混有石墨烯。石墨烯浓度范围为0.1mg/ml‑1mg/ml。还公开了一种基于石墨烯的硅波导偏振滤波器的制备方法，先在硅衬底层上表面制备二氧化硅下包层，然后在二氧化硅下包层上表面制备硅薄膜层，再将硅薄膜层图案化形成硅波导，将石墨烯混入EPO聚合物光刻胶中，在硅波导上表面制备混有石墨烯的聚合物波导，最后在混有石墨烯的聚合物波导表面制备二氧化硅上包层。本发明能够实现对带有石墨烯的聚合物波导位置、厚度和尺寸的精确控制和图案化，适用于偏振滤波器的精准高效制备和广泛应用。
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