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公开(公告)号：CN108760780B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810794228.0
申请日：2018-07-19
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术领域，具体地说是一种晶棒定向检测系统，包括移动机构、旋转机构、支承板、X光发生组件和信号系统组件，旋转机构安装于所述移动机构上并通过所述移动机构驱动移动，支承板安装于所述旋转机构前端并通过所述旋转机构驱动旋转，在所述支承板上设有定位探针、X光发生组件、信号系统组件、第一调整机构和第二调整机构，且检测时所述定位探针与晶棒相抵，所述X光发生组件通过第一调整机构驱动做圆弧运动，所述信号系统组件通过第二调整机构驱动做圆弧运动。本发明能够精确检测晶棒的角度信息，大大提高了晶棒角度检测精度和检测效率。
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公开(公告)号：CN113295715B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110555613.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统，包括装置主体、输送带、支撑板以及控制面板，所述输送带固定安装在装置主体的上端面，所述控制面板固定连接在装置主体的前端面，所述支撑板固定连接在控制面板的下端面，所述输送带的上端面开设有承载槽，所述承载槽的内部放置有承载装置，所述承载装置的内部承载有晶棒，所述输送带的末端设有分离收集装置，所述分离收集装置固定连接在装置主体的上端面，所述装置主体的上端面中部还固定连接有定位环，且所述定位环位于分离收集装置的上方一侧，所述装置主体的上端面固定连接有夹持装置，所述夹持装置位于分离收集装置的一侧，实现对晶棒的快速定向测试。
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公开(公告)号：CN113295715A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110555613.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统，包括装置主体、输送带、支撑板以及控制面板，所述输送带固定安装在装置主体的上端面，所述控制面板固定连接在装置主体的前端面，所述支撑板固定连接在控制面板的下端面，所述输送带的上端面开设有承载槽，所述承载槽的内部放置有承载装置，所述承载装置的内部承载有晶棒，所述输送带的末端设有分离收集装置，所述分离收集装置固定连接在装置主体的上端面，所述装置主体的上端面中部还固定连接有定位环，且所述定位环位于分离收集装置的上方一侧，所述装置主体的上端面固定连接有夹持装置，所述夹持装置位于分离收集装置的一侧，实现对晶棒的快速定向测试。
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公开(公告)号：CN117066069B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310604931.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了垫板自动涂胶工艺方法及垫板自动涂胶机，包括垫板仓储单元、垫板分选单元、垫板切割单元、垫板清洁单元、垫板运输单元、料座运输单元、料座定位单元、涂胶机构、供胶机构、控制系统；垫板分选单元分别与垫板仓储单元、垫板切割单元、垫板清洁单元衔接配合，垫板运输单元分别与垫板清洁单元、料座定位单元衔接配合，料座定位单元分别与料座运输单元、涂胶机构衔接配合，供胶机构与涂胶机构连接；本发明能够准确控制涂胶量和涂胶速度，能够实现混合比例的准确性，极大地提升胶水混合稳定性，保证了涂胶位置准确。本发明通过自动化作业，提高了操作人员安全性，提升了切割垫板的准确程度，可以自动优化分选出满足使用要求最节约的垫板。
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公开(公告)号：CN116118021B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310068094.5
申请日：2023-01-17
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明公开了一种晶棒自动粘接设备，其中，运输装置将晶棒输送至粘接装置中；晶向测量单元测量晶棒的晶向，得到X轴方向偏差角和X轴偏差方向；粘接通信控制单元将X轴晶向偏差角和X轴晶向偏差方向发送给涂胶通信控制单元；涂胶单元将缓冲板的下表面通过粘接剂粘贴在料座上，以及在缓冲板的上表面涂上粘接剂，从而形成料座组件；其中，缓冲板的轴线朝第一方向偏离料座的轴线的夹角为X轴晶向偏差角，第一方向与X轴晶向偏差方向相反；缓冲板的上表面呈与晶棒侧面相适配的向下表面凹陷的弧面；运输装置将料座组件输送至粘接装置中；粘接单元将料座的轴线朝X轴晶向偏差方向转动X轴晶向偏差角，并将晶棒粘接在缓冲板的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113977785A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111294958.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，该自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，包括测量机构、摆转机构、粘接机构、壳体机构和夹手机构。该自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，实现了晶棒的粘接测量复检等工序在同一机台完成，料板座只需一次装夹，粘接精度得到提高；能够对粘接的多个晶棒进行逐棒复检；粘接过程中晶体相向的偏角有自动计算自动补偿功能；测量过程中实现自动寻峰判峰功能；粘接过程中晶体的偏差角通过胶水固化填充，无需其他辅助工序；通过机台自动完成粘接操作，屏蔽人为因素的影响，粘接结果稳定性好；机台校准后，粘接准确性好；设备对每根晶棒进行复检，提高粘接成品的合格率。
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公开(公告)号：CN117066069A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310604931.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了垫板自动涂胶工艺方法及垫板自动涂胶机，包括垫板仓储单元、垫板分选单元、垫板切割单元、垫板清洁单元、垫板运输单元、料座运输单元、料座定位单元、涂胶机构、供胶机构、控制系统；垫板分选单元分别与垫板仓储单元、垫板切割单元、垫板清洁单元衔接配合，垫板运输单元分别与垫板清洁单元、料座定位单元衔接配合，料座定位单元分别与料座运输单元、涂胶机构衔接配合，供胶机构与涂胶机构连接；本发明能够准确控制涂胶量和涂胶速度，能够实现混合比例的准确性，极大地提升胶水混合稳定性，保证了涂胶位置准确。本发明通过自动化作业，提高了操作人员安全性，提升了切割垫板的准确程度，可以自动优化分选出满足使用要求最节约的垫板。
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公开(公告)号：CN113977785B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111294958.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，该自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，包括测量机构、摆转机构、粘接机构、壳体机构和夹手机构。该自动晶体定向测量及多晶棒粘接复检设备，实现了晶棒的粘接测量复检等工序在同一机台完成，料板座只需一次装夹，粘接精度得到提高；能够对粘接的多个晶棒进行逐棒复检；粘接过程中晶体相向的偏角有自动计算自动补偿功能；测量过程中实现自动寻峰判峰功能；粘接过程中晶体的偏差角通过胶水固化填充，无需其他辅助工序；通过机台自动完成粘接操作，屏蔽人为因素的影响，粘接结果稳定性好；机台校准后，粘接准确性好；设备对每根晶棒进行复检，提高粘接成品的合格率。
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公开(公告)号：CN108943451B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201810915272.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统，包括料板机构、料板旋转机构、升降机构、摆转机构和驱动机构，所述摆转机构包括安装座，安装座的顶部安装有减速机，减速机的顶部设有与减速机连接的第二电机，第二电机的一侧安装有第一编码器，驱动机构设置于第二电机的另一侧，第二电机靠近驱动机构的一侧还安装有水平设置的定位探针，安装座的底部还安装有第二直线导轨，第二直线导轨的一侧活动安装有丝杠，丝杠的一端通过第一联轴器安装有第三电机，所述驱动机构包括行走部分、两组跟随行走部分运动的X光发生部分以及两组信号系统。本发明设计合理，使切片后精度控制在±3′以内，以满足半导体级单晶硅的切片制品精度日益提高的需要。
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公开(公告)号：CN108943451A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810915272.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 丹东新东方晶体仪器有限公司
IPC: B28D5/00
CPC classification number: B28D5/0058
Abstract: 本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统，包括料板机构、料板旋转机构、升降机构、摆转机构和驱动机构，所述摆转机构包括安装座，安装座的顶部安装有减速机，减速机的顶部设有与减速机连接的第二电机，第二电机的一侧安装有第一编码器，驱动机构设置于第二电机的另一侧，第二电机靠近驱动机构的一侧还安装有水平设置的定位探针，安装座的底部还安装有第二直线导轨，第二直线导轨的一侧活动安装有丝杠，丝杠的一端通过第一联轴器安装有第三电机，所述驱动机构包括行走部分、两组跟随行走部分运动的X光发生部分以及两组信号系统。本发明设计合理，使切片后精度控制在±3′以内，以满足半导体级单晶硅的切片制品精度日益提高的需要。
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