公开(公告)号：CN107868936B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201710874029.6

申请日：2017-09-25

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 真锅和干 ,  梅原德次 ,  上坂裕之 ,  市村和之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/48

Abstract: 提供在润滑油中的环境下能够确保比以往更低的摩擦系数的滑动构件及其制造方法。滑动构件(10)的非晶质碳被膜(12)满足以下关系：在将通过单键配位了3个碳原子的氮原子的个数记为A、将通过单键和双键配位了2个碳原子的氮原子的个数记为B时，通过对非晶质碳被膜(12)进行X射线光电子能谱分析所得到的非晶质碳被膜(12)的A/B值为10以上且18以下。在滑动构件(10)的制造方法中，通过朝向基材(11)的表面照射氮离子束，并且对碳靶T照射电子束E，从而一边使碳靶T的一部分蒸镀于基材(11)的表面，一边形成非晶质碳被膜(12)。对碳靶T照射的电子束E的输出功率为30W以上且50W以下。

公开(公告)号：CN107868936A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710874029.6

申请日：2017-09-25

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 真锅和干 ,  梅原德次 ,  上坂裕之 ,  市村和之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/48

Abstract: 提供在润滑油中的环境下能够确保比以往更低的摩擦系数的滑动构件及其制造方法。滑动构件(10)的非晶质碳被膜(12)满足以下关系：在将通过单键配位了3个碳原子的氮原子的个数记为A、将通过单键和双键配位了2个碳原子的氮原子的个数记为B时，通过对非晶质碳被膜(12)进行X射线光电子能谱分析所得到的非晶质碳被膜(12)的A/B值为10以上且18以下。在滑动构件(10)的制造方法中，通过朝向基材(11)的表面照射氮离子束，并且对碳靶T照射电子束E，从而一边使碳靶T的一部分蒸镀于基材(11)的表面，一边形成非晶质碳被膜(12)。对碳靶T照射的电子束E的输出功率为30W以上且50W以下。

公开(公告)号：CN104059241A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410098638.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  梅原德次 ,  河原真吾 ,  野老山贵行 ,  上坂裕之

IPC: C08J7/00

CPC classification number: F16C29/02 ,  B29C59/14 ,  B29K2027/12 ,  B29K2027/18 ,  B29K2995/0092 ,  C08J7/123 ,  C08J2327/12 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及一种滑动部件及其制造方法。滑动部件其全体由氟树脂一体地形成且使与被滑动部件间的滑动面亲水化。制造方法包括将滑动部件（1）的滑动面（2）曝露于以Ar气和经气化的水为原料而产生的水的等离子体（7）中而使其亲水化的工序。

公开(公告)号：CN101547549B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810189270.6

申请日：2008-12-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 中尾贤 ,  守谷修司 ,  上坂裕之

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/123 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。

公开(公告)号：CN101547549A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810189270.6

申请日：2008-12-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 中尾贤 ,  守谷修司 ,  上坂裕之

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/123 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。

公开(公告)号：CN101563480A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780045097.6

申请日：2007-12-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 上坂裕之 ,  小泉宏之 ,  滨岛绘里 ,  梅原德次 ,  荒川义博

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/503 ,  C01B31/02 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/503

Abstract: 本发明提供一种使用固体原料、并且不需要供给激光等高能量射线而制造DLC膜等碳质膜的方法和装置。该方法包括准备作为原料的固体状有机材料的工序；向该材料施加放电能量，形成等离子体的工序；和使该等离子体堆积在基材上，形成碳质膜的工序。该方法优选使用具备放电单元(10)的膜制造装置(1)实施，该放电单元(10)具有保持原料(50)的一对电极(原料保持件)(12、14)和向该电极间施加电压的电压施加单元(20)。