电压驱动型半导体元件的驱动装置

    公开(公告)号:CN101171739A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200680015850.2

    申请日:2006-05-02

    CPC classification number: H02M1/08 H03K17/0828 H03K17/168

    Abstract: 一种IGBT(1)的驱动装置(10),其包括:高电位侧开关元件组,其具有多个开关元件M1和M1’,每个开关元件的一端连接到高电位侧;低电位侧开关元件组,其具有多个开关元件M2和M2’,每个开关元件的一端连接到低电位侧;驱动类型选择输入端(10b),向其输入驱动类型选择信号,所述信号与连接到所述驱动装置(10)的IGBT(1)的驱动类型对应;直接驱动型控制单元(23)和间接驱动型控制单元(24),其产生控制信号,所述控制信号互补地控制对应于IGBT(1)的驱动类型的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组;以及选择器(25),其选择控制信号,所述控制信号控制对应于输入的驱动类型选择信号的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组。

    碳化硅半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110226235A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201880008427.2

    申请日:2018-01-17

    Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离,在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外,将电场缓和层(15)以直线状构成,将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成,抑制电场的进入。进而,在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间,也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下,抑制电场的进入。

    电压驱动型半导体元件的驱动装置

    公开(公告)号:CN101171739B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200680015850.2

    申请日:2006-05-02

    CPC classification number: H02M1/08 H03K17/0828 H03K17/168

    Abstract: 一种IGBT(1)的驱动装置(10),其包括:高电位侧开关元件组,其具有多个开关元件M1和M1’,每个开关元件的一端连接到高电位侧;低电位侧开关元件组,其具有多个开关元件M2和M2’,每个开关元件的一端连接到低电位侧;驱动类型选择输入端(10b),向其输入驱动类型选择信号,所述信号与连接到所述驱动装置(10)的IGBT(1)的驱动类型对应;直接驱动型控制单元(23)和间接驱动型控制单元(24),其产生控制信号,所述控制信号互补地控制对应于IGBT(1)的驱动类型的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组;以及选择器(25),其选择控制信号,所述控制信号控制对应于输入的驱动类型选择信号的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组。

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