公开(公告)号：CN1499645A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104538.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西肋克彦 ,  栉田知义

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种场效应半导体装置，该装置能够通过有效利用其沟道宽度来同时获得低导通阻抗与不过大的短路电流以防止装置受到损坏。在场效应半导体装置中，设置于栅极(106)之间的半导体区具有包含N+发射极区(104)和P发射极区的条型图案结构。P发射极区由低浓度的P沟道区(103)和高浓度的P+发射极区(100)组成。N+发射极区(104)、P沟道区(103)和P+发射极区(100)与发射极(109)相接触。因此，沟道宽度(X)限制为正常运行状态下足够通过导通电流的宽度。即在场效应半导体装置中，低导通阻抗与不过大的短路电流能够同时产生。

公开(公告)号：CN1302557C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200310104538.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西肋克彦 ,  栉田知义

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种场效应半导体装置，该装置能够通过有效利用其沟道宽度来同时获得低导通阻抗与不过大的短路电流以防止装置受到损坏。在场效应半导体装置中，设置于栅极(106)之间的半导体区具有包含N+发射极区(104)和P发射极区的条型图案结构。P发射极区由低浓度的P沟道(103)和高浓度的P+发射极区(100)组成。N+发射极(104)、P沟道区(103)和P+发射极区(100)与发射极(109)相接触。因此，沟道宽度(X)限制为正常运行状态下足够通过导通电流的宽度。即，在场效应半导体装置中，低导通阻抗与不过大的短路电流能够同时产生。