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公开(公告)号：CN116646375A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310136430.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。
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公开(公告)号：CN1491299A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804627.7
申请日：2002-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L21/76254 , H01L33/0079
Abstract: 一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。
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公开(公告)号：CN101545610B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910129553.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及包括发光二极管的发光器件，该发光器件包括发光二极管、红色发光荧光体层、黄色发光荧光体层和蓝色发光荧光体层。这些层按照顺序为逐渐远离LED的黄色、蓝色和红色荧光体层的堆叠序列堆叠。首先确定黄色和蓝色荧光体层的堆叠序列，使得这些层不相互作用。红色和黄色荧光体层的堆叠序列以及红色和蓝色荧光体层的堆叠序列通过判别式D确定。堆叠序列的这种确定抑制了由于浓度淬灭所导致的荧光体转换效率的降低，改善了发光器件的发射效率。
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公开(公告)号：CN101545610A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129553.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及包括发光二极管的发光器件，该发光器件包括发光二极管、红色发光荧光体层、黄色发光荧光体层和蓝色发光荧光体层。这些层按照顺序为逐渐远离LED的黄色、蓝色和红色荧光体层的堆叠序列堆叠。首先确定黄色和蓝色荧光体层的堆叠序列，使得这些层不相互作用。红色和黄色荧光体层的堆叠序列以及红色和蓝色荧光体层的堆叠序列通过判别式D确定。堆叠序列的这种确定抑制了由于浓度淬灭所导致的荧光体转换效率的降低，改善了发光器件的发射效率。
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