-
公开(公告)号：CN115332546A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210830502.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 中盐金坛盐化有限责任公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明属于液流电池领域，具体涉及一种水溶性有机聚合物液流电池负极聚合物材料及其制备方法。负极聚合物是由3‑氯‑2‑羟基丙基甲基丙烯酸酯与甲基丙烯酸3‑磺酸丙酯钾盐通过自由基聚合合成后，再与4,4’‑联吡啶单取代衍生物发生季铵化反应得到的。液流电池系统包括上述水溶性负极聚合物与一种水溶性正极聚合物，以聚合物作为正负极材料，可以抑制电极材料间的交叉污染，提升电池的循环稳定性，组成低成本、安全性高、性能稳定的液流电池，满足大规模储能需求。
-
公开(公告)号：CN114478902B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210015682.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 中盐金坛盐化有限责任公司 , 浙江大学
IPC: C08F220/38 , C08F220/34 , C08F228/02 , H01M8/18
Abstract: 本发明公开了一种水系正极聚合物及其制备方法、小分子液流电池系统，水系正极聚合物由2‑甲基‑2‑丙烯酸‑2,2,6,6‑四甲基‑4‑哌啶甲酯(TEMPMA)、3‑磺酸丙基甲基丙烯酸钾盐(SMPS)和2‑甲基‑2‑丙烯‑1‑磺酸钠(SMAS)通过自由基聚合合成得到；小分子液流电池系统包括上述水系正极聚合物和1,1‑二甲基‑4,4‑联吡啶二氯化物。以聚合物作为电极材料，一方面，分子量的增大可以有效减少活性物质间的交叉污染，降低电池容量的下降；另一方面，可直接使用成本较低的多孔膜，降低使用成本。采用具有高浓度、低粘度的聚合物电解质，可以抑制浓差极化现象，提高电池的稳定性，得到具有活性材料易制备、容量高、安全性能高、充放电性能稳定等优势的液流电池，满足大规模储能需求。
-
公开(公告)号：CN114478902A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210015682.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 中盐金坛盐化有限责任公司 , 浙江大学
IPC: C08F220/38 , C08F220/34 , C08F228/02 , H01M8/18
Abstract: 本发明公开了一种水系正极聚合物及其制备方法、小分子液流电池系统，水系正极聚合物由2‑甲基‑2‑丙烯酸‑2,2,6,6‑四甲基‑4‑哌啶甲酯(TEMPMA)、3‑磺酸丙基甲基丙烯酸钾盐(SMPS)和2‑甲基‑2‑丙烯‑1‑磺酸钠(SMAS)通过自由基聚合合成得到；小分子液流电池系统包括上述水系正极聚合物和1,1‑二甲基‑4,4‑联吡啶二氯化物。以聚合物作为电极材料，一方面，分子量的增大可以有效减少活性物质间的交叉污染，降低电池容量的下降；另一方面，可直接使用成本较低的多孔膜，降低使用成本。采用具有高浓度、低粘度的聚合物电解质，可以抑制浓差极化现象，提高电池的稳定性，得到具有活性材料易制备、容量高、安全性能高、充放电性能稳定等优势的液流电池，满足大规模储能需求。
-
公开(公告)号：CN118625598A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310740014.6
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开了一种基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶及其图案化方法。所述基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶按质量份数计，包括以下组分：1‑3份聚羟基苯乙烯化合物，1‑7份活性交联剂，0.2‑0.5份双光子引发剂，0‑0.5份增敏剂，0～90份溶剂。本发明提供的基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶具有良好的成膜性，利用飞秒激光直写光刻系统，可以刻写出满足微纳加工需求的光刻胶线条，具有良好的精度，在微纳电子器件、集成电路和显示面板等半导体制造领域内有巨大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115793395A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211599240.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种基于双抑制效应的高精度飞秒激光直写光刻胶组合物及其应用。所述飞秒激光直写光刻胶组合物包括单体、双光子引发剂和阻聚剂；所述单体选自丙烯酸酯类化合物和甲基丙烯酸酯类化合物中的一种或多种按任意配比的组合；以单体质量为100％计，双光子引发剂和阻聚剂的质量百分比为0.5‑5wt％和0.1‑5wt％。本发明公开的光刻胶组合物中加入了阻聚剂，利用化学抑制效应可以提高飞秒激光直写的刻写精度。本发明提供了所述光刻胶组合物在飞秒激光直写制备微结构中的应用，其结合了PPI的物理抑制和阻聚剂的化学抑制两种抑制效应，可以显著提高飞秒激光直写的刻写精度，获得极高精度的高质量刻写线条。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116770297A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310742664.4
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开了一种膜层材料辅助生长的锌基多级微纳结构及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在有机溶剂与水的混合液中加入锌源和含氮有机配体，在室温下充分混合均匀，得到澄清溶液；(2)在步骤(1)所得澄清溶液中加入有机羧酸配体，并在室温下充分混合均匀，得到制备锌基多级微纳结构的母液；(3)将膜层材料作为基底垂直置入步骤(2)所得母液中，置于90～120℃环境内保温15～48小时，即在所述基底表面得到锌基多级微纳结构。本发明的锌基多级微纳结构是由长条纳米棒或纳米线组装而成的球状形貌的锌基微纳结构，制备方法简单、流程短，原料方便易得，适合完成大面积多级微纳结构的制备。
-
公开(公告)号：CN116731338A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310708189.9
申请日：2023-06-15
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光直写的图案化UiO系列无机膜的制备方法以及凝胶化配体溶液。所述基于飞秒激光直写的图案化UiO系列无机膜的制备方法包括如下步骤：A：图案化ZrO2薄膜的制备；B：UiO系列无机膜的凝胶化配体溶液的制备；C：UiO系列无机膜的制备。本发明提供了一种用于制备UiO系列无机膜的凝胶化配体溶液，其通过如下方法制备：将有机配体和调节剂溶解在DMF中，制备得到凝胶化配体溶液；所述的调节剂为三乙胺或氢氧化钾；所述的有机配体为下列化合物a‑c中的一种。本发明采用凝胶法旋涂制备图案化UiO系列无机膜，不仅减少了溶剂用量，而且有效降低反应温度，能够获得微米尺度的图案化UiO系列无机膜。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116719209A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310709968.0
申请日：2023-06-15
Abstract: 本发明公开了一种基于马来酰亚胺的自引发双光子光刻胶及其图案化方法。所述基于马来酰亚胺的自引发双光子光刻胶含有100份的马来酰亚胺化合物、10‑30份的丙烯酸多环戊烯基酯和20‑50份的高折射率芴系活性交联剂。本发明的基于马来酰亚胺的自引发双光子光刻胶避免了常规双光子引发剂的使用，从而可以避免普通光刻胶中残留的光引发剂及光解碎片存在着迁移渗透和进一步光化学反应的可能；丙烯酸多环戊烯基酯的阻氧效应可以保证光刻胶在空气中正常使用；而高折射率芴系活性交联剂则可以有效调节光刻胶的折射率以提升刻写效果。该光刻胶经飞秒激光刻写、显影后，能够得到特征尺寸在百纳米级的二维线条，也能够刻写出数百微米的三维结构。
-
公开(公告)号：CN116719207A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310699369.5
申请日：2023-06-13
Abstract: 本发明公开了一种可调折射率的含有杂多酸的激光直写光刻胶的制备以及基于该光刻胶的图案化方法。所述含有杂多酸的激光直写光刻胶的制备方法包括以下步骤：S1：得到杂多酸溶液；S2：得到成膜树脂溶液；S3：得到含有光引发剂的活性单体溶液；S4：取适量活性单体溶液与杂多酸溶液混合均匀，再将成膜树脂溶液缓慢滴加至混合溶液中，先缓慢摇晃，再静置至溶液分层现象消失，得到含有杂多酸的激光直写光刻胶。本发明将杂多酸分散在光刻胶中，无需另加分散剂促进分散，所得光刻胶折射率在1.4‑1.8范围内可调；胶膜在目标区域内的透光率大于90％；填料均匀分散且粒径小，表面粗糙度低；利用双光子光刻可以制作2D和3D不同形状的结构。
-
公开(公告)号：CN116554391A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310708192.0
申请日：2023-06-15
IPC: C08F220/14 , G03F7/20 , C08F220/18 , C08F212/08 , C08F220/20 , G03F7/038 , G03F7/027
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光直写光刻胶成膜树脂、负性飞秒激光直写光刻胶及其图案化方法。所述飞秒激光直写光刻胶成膜树脂的化学结构式如式(I)所示，该飞秒激光直写光刻胶成膜树脂为无规共聚物，重均分子量Mw在1.7‑2.2kDa之间，分布指数D在1.4‑2之间。本发明提供的负性飞秒激光直写光刻胶包括3‑5wt％所述的成膜树脂、5‑10wt％活性单体、0.1‑1wt％双光子引发剂和85‑91wt％溶剂。本发明所述的成膜树脂可以提高负性光刻组合物的抗刻蚀性，提升胶膜与晶圆的附着力，从而提高光刻图形的分辨率，改善图形形貌。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.198 seconds)
