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公开(公告)号：CN101494144A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910004551.4
申请日：2009-03-04
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条，阴极和栅极之间的绝缘层，以及制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极阵列。该电子源阵列结构的制作采用薄膜微加工工艺和自组装生长工艺结合的方法。在该方法中，纳米线冷阴极采用直接氧化法制作，无需催化剂。另外，通过在阴极上制作覆盖层，保护生长纳米线所需要的源材料和限制纳米线在靠近栅极的区域生长。本发明提供的采用纳米线为冷阴极的电子源阵列结构，其制作方法工艺简单、可控性高，可应用于场发射平板显示器件。
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公开(公告)号：CN101638781A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910038947.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 中山大学
IPC: C23F1/02
Abstract: 本发明公开了一种在阵列式排列的微腔结构中直接加热金属膜生长氧化物纳米线的方法及其应用，每个微腔内都可生长出方向垂直或接近垂直衬底表面又不接触腔壁的氧化物纳米线。该方法是先依次在衬底上制备多层过渡层、金属膜和保护层，然后通过光刻方法选择性地暴露出金属膜表面，最后将该表面放置在含有氧气的气氛下加热，实现其氧化物纳米线的生长。该方法过程简单，容易实现，不需要催化剂，可避免由催化剂带来的污染。该结构有利于在纳米线顶端及其所在衬底分别施加电接触或电场，从而实现对每个微腔进行选择性电控制，因此可用于制作真空微纳电子源阵列等器件。本发明列举了在微腔结构阵列中生长出氧化铜纳米线，并进行相关特性测试的实施案例。
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公开(公告)号：CN101494144B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910004551.4
申请日：2009-03-04
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条，阴极和栅极之间的绝缘层，以及制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极阵列。该电子源阵列结构的制作采用薄膜微加工工艺和自组装生长工艺结合的方法。在该方法中，纳米线冷阴极采用直接氧化法制作，无需催化剂。另外，通过在阴极上制作覆盖层，保护生长纳米线所需要的源材料和限制纳米线在靠近栅极的区域生长。本发明提供的采用纳米线为冷阴极的电子源阵列结构，其制作方法工艺简单、可控性高，可应用于场发射平板显示器件。
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公开(公告)号：CN101638781B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910038947.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 中山大学
IPC: C23F1/02
Abstract: 本发明公开了一种在阵列式排列的微腔结构中直接加热金属膜生长氧化物纳米线的方法及其应用，每个微腔内都可生长出方向垂直或接近垂直衬底表面又不接触腔壁的氧化物纳米线。该方法是先依次在衬底上制备多层过渡层、金属膜和保护层，然后通过光刻方法选择性地暴露出金属膜表面，最后将该表面放置在含有氧气的气氛下加热，实现其氧化物纳米线的生长。该方法过程简单，容易实现，不需要催化剂，可避免由催化剂带来的污染。该结构有利于在纳米线顶端及其所在衬底分别施加电接触或电场，从而实现对每个微腔进行选择性电控制，因此可用于制作真空微纳电子源阵列等器件。本专利列举了在微腔结构阵列中生长出氧化铜纳米线，并进行相关特性测试的实施案例。
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