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公开(公告)号：CN101092249B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710027736.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其方法为：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。本发明的目的在于，提供一种制备工艺简单、产率高、成本低、适合于大面积制备MoO3纳米结构及其薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101092249A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710027736.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其方法为：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。本发明的目的在于，提供一种制备工艺简单、产率高、成本低、适合于大面积制备MoO3纳米结构及其薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101049906B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200710027933.X
申请日：2007-05-09
Applicant: 中山大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尖锥的方法，其特征在于首先将阴极材料与阳极材料固定在相距微米级距离的位置上，然后给阴极材料和阳极材料加上电压，使阴极材料与阳极材料之间形成电场诱导阴极材料向阳极材料发射电子，待阴极材料的发射电流所产生的焦耳热使阴极材料顶端熔化，所形成的熔融体在电场作用下向阴极材料的顶端迁移后，切断电压源，熔融体冷却后形成纳米尖锥。本发明是一种原位处理、定点、分立的制备过程，可以克服目前在微观结构上进行原位、定点制作的困难，在微纳结构制作和修复方面具有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN101049906A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710027933.X
申请日：2007-05-09
Applicant: 中山大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尖锥的方法，其特征在于首先将阴极材料与阳极材料固定在相距微米级距离的位置上，然后给阴极材料和阳极材料加上电压，使阴极材料与阳极材料之间形成电场诱导阴极材料向阳极材料发射电子，待阴极材料的发射电流所产生的焦耳热使阴极材料顶端熔化，所形成的熔融体在电场作用下向阴极材料的顶端迁移后，切断电压源，熔融体冷却后形成纳米尖锥。本发明是一种原位处理、定点、分立的制备过程，可以克服目前在微观结构上进行原位、定点制作的困难，在微纳结构制作和修复方面具有一定的应用价值。
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