一种便携式肢体关节单光子CT成像系统

    公开(公告)号:CN112807010A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110243825.6

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种便携式肢体关节单光子CT成像系统,包括:支撑结构、滑环导轨、X射线源、硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,简称为SiPM)探测器模块、数据采集模块、驱动模块、处理器、供电模块以及通信模块。通过处理器控制驱动模块驱动滑环导轨旋转装置和导轨水平移动装置同步运行,带动滑环导轨上的X射线源和SiPM探测器模块完成360°螺旋扫描。采用弧形的单光子探测灵敏度的SiPM探测器探测X射线实现大面积的低剂量的CT扫描成像。解决了传统肢体关节CT成像中存在的射线剂量高、设备不灵活、设备成本高、操作复杂以及扫描时间长等问题,具有操作灵活、成像清晰、辐射剂量低、扫描时间短等优点。

    一种苹果自动挑选系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107838050B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201711170523.0

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种苹果自动挑选系统,涉及农产品加工领域,通过对苹果表面纹理和重量进行数据采集和处理分析,按照苹果的甜度和重量这两个指标对苹果进行分级,不同等级的苹果送入相应等级的果筐中。一种苹果自动挑选系统包括图像采集模块、重量采集模块、信息处理模块、图像处理模块、电机控制模块和报警模块。图像采集模块采集到的图像模拟信号和压力模拟信号通过信息处理模块转换成相应的数字信号由图像处理模块进行算法处理分析后,根据设定阈值对苹果进行分级,通过电机控制模块将苹果传送到对应的等级果筐中,同时在设备出现故障时,报警模块发出报警信号,提高设备运行的安全可靠性。

    一种半导体制冷型SPAD单光子探测器

    公开(公告)号:CN112729573A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202110050014.4

    申请日:2021-01-14

    Abstract: 本发明提供了一种半导体制冷型SPAD单光子探测器:数字温度传感器向单片机模块实时上传制冷模块的实际温度,并使用单片机内部写入的算法根据由交互模块设置的目标工作温度与实际温度的差值进行计算,得到使能信号控制继电器开合,控制TEC制冷模块的工作时间,以此达到温控的功能,同时单片机模块输出脉冲控制探测模块的淬灭和恢复,使温控与淬灭电路成为整体,防止雪崩温度过高影响SPAD性能,该方案可以通过软件实现对参数进行调整,更加方便快捷,同时无需TEC驱动芯片,通过单片机和其他电子元件实现控制探测电路和温度控制,简化了电路结构,降低了制造和维护成本。

    一种智能环保的淋浴控制系统

    公开(公告)号:CN107905305A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711186678.3

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种智能环保的淋浴控制系统,涉及智能家居领域,包括温度传感器、动力阀、混合阀,大功率温差发电片及流速计;其中,所述温度传感器5/6/12将采集到的温度数字信号传递给微处理器进行处理分析;所述动力阀8/9/10由微处理器进行控制,快速实现淋浴水温与设定水温在控制的范围内;所述混合阀11在该控制系统出现故障时可以手动调节水温进行淋浴;所述大功率温差发电片7利用两表面出现温差发电供控制系统使用;所述液体流速计14测量温水流速,通过微处理器得到水温、淋浴时间和淋浴的用水量经液晶显示屏显示,提醒使用者节水节电;以上实现该系统的环保性和智能性,同时,还具有技术成本低、市场潜力大等优点。

    自动跟随的环保旅行箱
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106708039A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611125464.0

    申请日:2016-12-05

    Abstract: 本发明公开了自动跟随的环保旅行箱,涉及智能家居领域。通过超声波测距系统模块实现了旅行箱相对于旅行者之间的方位和距离的定位,使旅行箱做到了实时自动跟随旅行者,旅行者在行走过程中不会觉得旅行箱是个累赘,同时还具有环保性。自动跟随的环保旅行箱包括微处理器模块、红外发射模块、红外接收模块、超声波发射模块、超声波接收模块、方向控制模块、前进驱动模块、报警模块。微处理器模块有两个处理器,一个处理器用于控制红外和超声波信号发出,另一个处理器对接收到的红外和超声波信号进行相应的算法处理,根据处理的结果来控制方向控制模块、前进驱动模块和报警模块,其中前进驱动模块在受到外力驱动时,可以将动能转化为电能,对电池进行充电。

    基于超连续谱激光器的时间分辨拉曼光谱仪

    公开(公告)号:CN114839174A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210235694.1

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于超连续谱激光器的时间分辨拉曼光谱仪,包括脉冲激光系统、光学分光系统、信号采集系统和数据处理系统。本发明以超连续谱激光器为激光源,以片外数字延迟单元为时间门控,以具有时间分辨能力的单光子雪崩二极管(SPAD)阵列作为拉曼信号探测器,通过CMOS SPAD线传感器上集成的片上时间数字转换器(TDC)记录拉曼光谱的时域信息,现场可编程门阵列(FPGA)控制电路对CMOS SPAD线传感器进行信号采集和处理,最后在计算机上进行暗计数去除等数据处理后得到高荧光抑制的时间分辨拉曼光谱。本发明采用超连续谱激光器和单色仪组合的方式,利用不同频率的脉冲激光照射待测样品可以获得更丰富的拉曼光谱和更准确的样品成分信息,具有很好的使用价值和应用前景。

    一种具备光子数分辨能力、低暗计数的单光子探测器

    公开(公告)号:CN112629682A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110048294.5

    申请日:2021-01-14

    Abstract: 本发明是一种具备光子数分辨能力、低暗计数的单光子探测器,包括包括光学系统模块,偏置电压模块,SiPM探测器模块,制冷模块,信号放大模块,脉冲甄别整形模块,FPGA计数模块,光学系统模块扩大单光子探测器感光面积,SiPM探测器模块是小活性区面积的SiPM具备光子数分辨能力和较低暗计数率,偏置电压模块为单光子探测器提供反向偏置电压,最终实现微弱光信号的探测。本发明所述的单光子探测器具有较大感光面积、较低暗记数率以及较高光子数分辨能力的SiPM单光子探测器。

    一种低暗计数率的单光子雪崩二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN111490123A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010422703.9

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种低暗计数率的单光子雪崩二极管及其制作方法,属于单光子探测技术领域。该单光子雪崩二极管包括设置在衬底上的P型外延层,在所述的P型外延层的内部设置N型隔离区,在所述的N型隔离区的两侧对称设置N阱区,在所述的N阱区的顶部同轴设置N+重掺杂区,在所述的N型隔离区上方同轴设置中心N型区,在所述的中心N型区上方设置P阱区,在所述的P阱区内部同轴设置P+重掺杂区,在所述的P+重掺杂区两侧对称设置P型保护环区。本发明采用P阱中心区、P型外延层中心区与中心N型区形成雪崩区,有利于降低雪崩区电场,抑制隧穿效应的产生,显著降低器件的暗计数率。

    一种激光诱导击穿与拉曼光谱联合探测雷达系统

    公开(公告)号:CN115112635A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210713059.X

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种激光诱导击穿与拉曼光谱联合探测雷达系统,由计算机,脉冲激光光源,扩束透镜组,反光镜,双轴转向器,聚光透镜组,SPAD探测器组成。由计算机控制脉冲激光光源发出脉冲激光,通过扩束透镜组,变成合适直径的光束,入射到反光镜反射到物体上,计算机控制双轴转向臂可以让反射光在不同物体上移动,物体受激光发出特定光谱,被大口径聚光透镜组收集,被SPAD探测器接收输出信号到计算机,计算机与现有物质光谱库对照识别物质,当识别到有可能是危险物时,计算机通过发射接收时间差计算与物体距离,通过转动角确定危险物位置并报警。由SPAD探测器高灵敏度的特点,使弱光谱也能被探测器响应,激光诱导击穿与拉曼光谱联合,大大提高了探测准确率,具有很好的实用价值和应用前景。

    一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN113284971A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110400215.2

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法,属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管,包括P型外延层,在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区,在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区,在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区,在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区,在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区,在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区,在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式,优化器件结构,将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结,采用次结构显著降低器件的暗计数率。

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