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公开(公告)号：CN105179134B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510657290.1
申请日：2015-10-12
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: F02M65/00
Abstract: 本发明提供一种共轨系统故障诊断系统，系统包括故障类型选择界面、故障类型操作界面、故障码查询界面和学习功能界面。故障类型选择界面用于显示发动机常见的各种故障类型,选择一种故障类型则进入相应的故障类型操作界面；故障类型操作界面用于显示各种诊断步骤和诊断时的标准数据或者标准图形；故障码查询界面用于显示当前故障码的含义及处理措施；学习功能界面用于将未包含在原系统中的诊断步骤增加到系统中。本发明能根据故障类型进行诊断推理，给出详细的诊断步骤，指导诊断故障。在诊断的过程中能掌握当前诊断步骤在整个诊断过程中的位置以及诊断运行过程。能查询出故障码的含义；对未包含入本系统的诊断方法，还能进行学习加入到本系统中。
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公开(公告)号：CN105179134A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510657290.1
申请日：2015-10-12
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: F02M65/00
Abstract: 本发明提供一种共轨系统故障诊断系统，系统包括故障类型选择界面、故障类型操作界面、故障码查询界面和学习功能界面。故障类型选择界面用于显示发动机常见的各种故障类型,选择一种故障类型则进入相应的故障类型操作界面；故障类型操作界面用于显示各种诊断步骤和诊断时的标准数据或者标准图形；故障码查询界面用于显示当前故障码的含义及处理措施；学习功能界面用于将未包含在原系统中的诊断步骤增加到系统中。本发明能根据故障类型进行诊断推理，给出详细的诊断步骤，指导诊断故障。在诊断的过程中能掌握当前诊断步骤在整个诊断过程中的位置以及诊断运行过程。能查询出故障码的含义；对未包含入本系统的诊断方法，还能进行学习加入到本系统中。
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公开(公告)号：CN202934523U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220659164.1
申请日：2012-12-04
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所
IPC: B25B27/00
Abstract: 本实用新型涉及柴油机进油横腔安装工具。缸体定位杆第一端设有第一定位凸起和第二定位凸起；缸体定位杆第二端通过第一连接件与连接块第一端活动连接，缸体定位杆能够绕第一连接件摆动；连接块第二端通过第二连接件与连接杆第一端活动连接，连接杆能够绕第二连接件摆动，并且所述连接杆的摆动平面与缸体定位杆的摆动平面成70°~90°的夹角；连接杆第二端通过第三连接件与作用杆第一端活动连接，压杆第二端连接在第三连接件上；进油横腔定位杆有两根，它们分别设置在压杆两侧，两个进油横腔定位杆的第二端连接在第三连接件上。本实用新型使用方便，能适应柴油机上安装位置不规则的形状，使进油横腔安装更省力，降低维护人员身体客观情况影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380323A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410815963.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F9/00
Abstract: 本发明公开了一种SiC器件套刻标记和器件终端同步完成的制造方法，该制造方法与传统的先单独进行光刻标记的形成后进行器件结构制作的工艺方法相比，将光刻标记层和器件终端层用一步光刻完成，其后通过干法刻蚀工艺将光刻标记定型，同时进行终端的刻蚀成型，节省了总工艺步骤和所用光刻版，缩短了工艺时间，降低了人工和物料成本，并有助于较少工艺沾污，提高良率；同时确保了终端层和标记层零套刻偏差，进而降低了终端层和器件其它光刻层的套刻偏差。
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公开(公告)号：CN118380322A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410814968.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，包括以下步骤：在外延层表面沉积第一介质层；涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层上形成用于沟槽刻蚀的图形；刻蚀第一介质层和外延层，形成沟槽，并去除光刻胶；在所得物表面淀积第二介质层，刻蚀第二介质层使第一介质层顶端完全暴露；完全去除第一介质层，并涂覆碳化用光刻胶；通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶，使第二介质层的上表面露出；完全去除第二介质层。本发明通过利用自对准方式，可实现台面区域的光刻胶完全覆盖，同时避免沟槽内光刻胶残留，便于后续碳化后仅针对沟槽内部的高温处理；与主流碳化硅制程工艺兼容，单步工艺窗口大，可实现良好的控制，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN118380322B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410814968.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，包括以下步骤：在外延层表面沉积第一介质层；涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层上形成用于沟槽刻蚀的图形；刻蚀第一介质层和外延层，形成沟槽，并去除光刻胶；在所得物表面淀积第二介质层，刻蚀第二介质层使第一介质层顶端完全暴露；完全去除第一介质层，并涂覆碳化用光刻胶；通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶，使第二介质层的上表面露出；完全去除第二介质层。本发明通过利用自对准方式，可实现台面区域的光刻胶完全覆盖，同时避免沟槽内光刻胶残留，便于后续碳化后仅针对沟槽内部的高温处理；与主流碳化硅制程工艺兼容，单步工艺窗口大，可实现良好的控制，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN118380475B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410814967.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，碳化硅MOSFET功率器件包括漏极电极，漏极电极的表面依次设置衬底、外延层阱区、源区；外延层、阱区、源区上设置栅沟槽，栅沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，栅沟槽内设置同轴的介质层和栅极电极；介质层包括第一介质层、第二介质层，第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；栅极电极、介质层、源区的表面设置隔离介质层，第一导电类型源区的表面还设置源极电极。本发明不破坏SiC外延层的晶体结构，显著提高器件的电学性能，能够准确控制栅介质厚度；利用SiC材料各个晶面氧化速率不同，在沟槽底角处形成加厚的第一介质层，显著提升抗击穿能力，极大减小了失效风险。
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公开(公告)号：CN118380475A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410814967.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，碳化硅MOSFET功率器件包括漏极电极，漏极电极的表面依次设置衬底、外延层阱区、源区；外延层、阱区、源区上设置栅沟槽，栅沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，栅沟槽内设置同轴的介质层和栅极电极；介质层包括第一介质层、第二介质层，第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；栅极电极、介质层、源区的表面设置隔离介质层，第一导电类型源区的表面还设置源极电极。本发明不破坏SiC外延层的晶体结构，显著提高器件的电学性能，能够准确控制栅介质厚度；利用SiC材料各个晶面氧化速率不同，在沟槽底角处形成加厚的第一介质层，显著提升抗击穿能力，极大减小了失效风险。
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