公开(公告)号：CN116666370A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310742193.7

申请日：2023-06-21

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 李泽昆 ,  赵永强 ,  暴杰 ,  解锟

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例公开了一种功率模块及其制备方法，功率模块包括多组桥臂，每组桥臂包括多个SiCMOSFET芯片；多个键合铜片、衬板覆铜层、陶瓷衬板、散热底板以及金属端子；衬板覆铜层包括第一覆铜图案和第二覆铜图案，第一覆铜图案和第二覆铜图案相互绝缘；芯片的第一表面与第一覆铜图案连接，第二表面通过键合铜片与第二覆铜图案连接；金属端子与第二覆铜图案电连接；本发明实施例的技术方案，通过将SiCMOSFET芯片的一表面直接连接到衬板覆铜层的第一覆铜图案，并利用键合铜片连接SiCMOSFET芯片和第二覆铜图案，大幅提高了功率模块的通流能力及散热效率，同时大幅降低了工艺成本和工艺复杂度，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN119133133A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410683243.3

申请日：2024-05-29

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 任志恒 ,  暴杰 ,  李敏 ,  解锟 ,  李泽昆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请涉及一种半桥功率模块及车辆，其半桥功率模块，包括：底板、衬板、多个芯片单元、直流端子、交流端子和信号端子。所述衬板依次层叠包括第一覆铜层、陶瓷基层和第二覆铜层；所述第一覆铜层与底板相连；多个芯片单元分别沿第一方向布置在所述衬板的所述第二覆铜层上；所述芯片单元包括沿第二方向布置的多个碳化硅芯片，所述碳化硅芯片与所述衬板的所述第二覆铜层电气连接；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述直流端子与所述衬板的所述第二覆铜层电气连接；所述交流端子与所述衬板的所述第二覆铜层电气连接；所述直流端子和所述交流端子沿所述第二方向布置在所述衬板的两侧；所述信号端子与所述衬板的所述第二覆铜层电气连接。

公开(公告)号：CN117577610A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202410067066.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 李泽昆 ,  赵永强 ,  暴杰 ,  解锟

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/492

Abstract: 本申请涉及一种功率模块和信号处理方法。功率模块包括晶体管芯片、键合铜片、衬板覆铜层、陶瓷衬板、散热底板以及金属端子；陶瓷衬板的第一表面与散热底板连接，陶瓷衬板的第二表面和衬板覆铜层的第一表面连接；晶体管芯片的第一表面和衬板覆铜层的第二表面连接，衬板覆铜层的第二表面还与金属端子连接；晶体管芯片的第二表面通过键合铜片与衬板覆铜层的第二表面连接；其中，金属端子用于传输输入功率模块的电信号以及功率模块输出的电信号，散热底板用于为功率模块散热；衬板覆铜层用于接收金属端子输入的电信号，并将电信号传输至晶体管芯片；晶体管芯片用于对电信号进行处理后，将处理后的电信号通过衬板覆铜层输出至金属端子。