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公开(公告)号：CN107325858A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610279597.7
申请日：2016-04-29
申请人： 中国科学院金属研究所 , 苏州惠丰润滑材料有限公司
IPC分类号： C10M125/02 , C10N30/06
CPC分类号： C10M125/02 , C10N2230/06
摘要： 本发明涉及石墨烯纳米材料的应用领域，具体为一种液体型石墨烯添加剂的制备方法。以催化插层膨胀法或氧化还原法生产的石墨烯为原料，油酸或基础油为分散介质，通过机械粉碎、超声剪切、超声分散、离心分级多种技术手段的联用，获得浓度高、分散性好、悬浮稳定能力强的液体型石墨烯添加剂。该添加剂可直接加入至润滑油脂中，通过简单的机械搅拌或人工振荡即可得到高性能的石墨烯改性润滑产品。本发明所提供液体型石墨烯添加剂的制备方法具有工艺简单，重复性好，应用效果明显等技术特点。
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公开(公告)号：CN118405935B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410852375.4
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/524 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632
摘要： 本文公开了硅‑硼双原子掺杂改性制备碳气凝胶复合材料及其制备，属于新型轻质碳基复合材料领域。该方法采用共混共聚法将硅、硼原子引入线性酚醛树脂分子链中，并采用预氧丝碳纤维作为增强体，生成硅‑硼双原子掺杂有机气凝胶前驱体，其在炭化后，一方面改性原子形成玻璃相包覆在碳气凝胶颗粒骨架上，使骨架增粗且碳颗粒之间的连接面积增大，大幅提高骨架强度；另一方面，改性硅‑硼双原子以纤维增强体作为模板，在纤维与基体界面形成可大幅度钝化、偏转裂纹的微米级玻璃圆管结构，此圆管结构还可保障纤维在断裂过程中顺利拔出，从而显著增强纤维的拔出增韧作用，最终制备出硅‑硼双原子掺杂改性的碳气凝胶复合材料。
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公开(公告)号：CN118405935A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410852375.4
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/524 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632
摘要： 本文公开了硅‑硼双原子掺杂改性制备碳气凝胶复合材料及其制备，属于新型轻质碳基复合材料领域。该方法采用共混共聚法将硅、硼原子引入线性酚醛树脂分子链中，并采用预氧丝碳纤维作为增强体，生成硅‑硼双原子掺杂有机气凝胶前驱体，其在炭化后，一方面改性原子形成玻璃相包覆在碳气凝胶颗粒骨架上，使骨架增粗且碳颗粒之间的连接面积增大，大幅提高骨架强度；另一方面，改性硅‑硼双原子以纤维增强体作为模板，在纤维与基体界面形成可大幅度钝化、偏转裂纹的微米级玻璃圆管结构，此圆管结构还可保障纤维在断裂过程中顺利拔出，从而显著增强纤维的拔出增韧作用，最终制备出硅‑硼双原子掺杂改性的碳气凝胶复合材料。
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公开(公告)号：CN117913169A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311731761.X
申请日：2023-12-15
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/02 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及纳米半导体材料光电探测器的研发与应用领域，具体为一种双电容光电晶体管及其制作方法。双电容光电晶体管是由具有串联结构的感光电容和静电调制电容构成，其中感光电容从下到上依次由感光半导体、氧化物和金属盘组成；静电调制电容从下到上依次由栅极、栅极绝缘层、沟道层组成；感光电容上层的金属盘与静电调制电容下层的栅极通过金属线连接。本发明通过电荷耦合效应，感光电容中感光半导体产生的光生载流子将在静电调制电容的栅极中诱导出相同类型的载流子，并改变沟道层的电导。取决于静电调制电容中栅极绝缘层的厚度，器件可实现对静态或动态光信号的探测功能。
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公开(公告)号：CN111969076B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010773184.0
申请日：2020-08-04
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS2)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电晶体管的最具前途的二维纳米材料之一，并且可以和氧化钼(α‑MoO3‑x)形成具有理想界面的二维材料异质结。本发明基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管，其源端α‑MoO3‑x/MoS2异质结可以通过积累空穴改变能带结构，从而产生光增益，增强光生电流，同时漏端异质结通过提供更多空穴进一步增强光增益，使得晶体管具有大的响应度、明暗电流比和外量子效率，得到迄今为止MoS2探测器报道的最高探测度。
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公开(公告)号：CN117446789A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210852283.7
申请日：2022-07-19
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/188 , C01B32/19 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01B21/064
摘要： 本发明涉及二维材料制备领域，具体为一种六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼叠层异质结材料的制备方法。采用高质量的少数层或多层石墨烯，基于替换反应原理，将上下表面特定层数的石墨烯分别转换为六方氮化硼，同时保留中间层的高质量石墨烯，从而形成具有特定层数和堆叠次序的六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼叠层异质结材料。采用该方法制备的六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼叠层异质结材料，中间层石墨烯具有高的结晶质量，而且未与外界接触，保证了六方氮化硼/石墨烯之间的清洁界面，为实现石墨烯的封装进而大幅提高其电学、热学和化学性能奠定了基础。
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公开(公告)号：CN117187783A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311158789.9
申请日：2023-09-08
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及化学气相沉积反应设备领域，具体地说是一种适用于多孔宏观体材料均匀连续高效制备的化学气相沉积反应设备。该设备由进气控制系统、进料系统、反应系统、收料系统和尾气及真空系统构成，进气控制系统通过保护气管路与进料系统、收料系统相连通，通过反应气管路与收料系统相连通；进料系统设置局域传送履带，进料系统的进料仓上部设有进料缓冲仓，反应系统的内衬腔中间过料狭缝与进料系统的局域传送履带同轴对齐，收料系统的收料仓下部设有收料缓冲仓，尾气及真空系统的真空系统、尾气系统分别与进料系统、收料系统相连通。本发明保证了多孔体相材料连续制备过程中各个位置能经历同等均匀高效的生长环境，突破了材料尺寸尤其是长度限制。
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公开(公告)号：CN117156866A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210558350.4
申请日：2022-05-20
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及新型阻变存储器的研发与应用领域，具体为一种基于迈科烯(MXene)‑氧化钛(TiO2)肖特基结的阻变存储器及制作方法。采用迈科烯作为顶电极、氧化钛作为阻变层，通过选择不同的底电极材料，可以实现具有不同特性的阻变存储器。利用迈科烯在制备过程中所引入的缺陷作为电荷陷阱，在整个迈科烯‑氧化钛界面形成空间电荷层，对由迈科烯顶电极注入的载流子进行捕获与释放，有效调控迈科烯‑氧化钛肖特基势垒的高度，从而实现电阻转变行为。因此，器件展现出高均匀性、长期保持稳定性和可靠耐久性。采用半导体底电极，构筑出高均匀性自整流阻变存储器，展现出在大面积迈科烯基存储器领域巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114951646B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210573349.9
申请日：2022-05-24
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及金属纳米颗粒及石墨烯材料制备领域，具体为一种金属纳米颗粒负载的石墨烯材料的一步超快制备方法，适于金属纳米颗粒负载的石墨烯材料的快速高效制备。该方法通过将高温基体在金属盐的液态碳源中快速冷却(淬火)，淬火过程中金属盐受热分解为金属纳米颗粒，液态碳源受热分解在基体表面生长石墨烯，从而快速制备出金属纳米颗粒负载的石墨烯材料。本发明制备工艺简单，效率高，成本低，可控性好，可快速制备出多种金属纳米颗粒负载的石墨烯材料，为该类材料在光电催化、工业催化、拉曼增强、高熵合金、气体传感、电磁屏蔽等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN116936649A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210352014.4
申请日：2022-04-02
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及光电探测器的研发与应用领域，具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底，Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层和顶部金属电极，与晶圆级石墨烯插入层接触的顶部金属电极为金/钛/金的叠层复合结构。在本发明中，通过在Ge和金属电极之间插入石墨烯层，成功减弱了费米能级钉扎效应，使得肖特基结势垒高度得到明显提高，从而暗电流下降至1.6mA/cm2，光电探测器的响应度达到1.82A/W，这种高性能的光电探测器非常有望应用于光通信等领域，发挥其独特的优势。
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