公开(公告)号：CN109467042A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710804370.4

申请日：2017-09-08

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 黄河 ,  俞挺 ,  程伟 ,  侯克玉

IPC分类号： B81B7/00

摘要： 本发明公开了一种用于封装MEMS器件的封装结构，封装结构包括第一衬底、第一布线层、导电柱和第一键合环，第一衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面以及贯穿第一表面和第二表面的背通孔，第一布线层设置于第一表面上，导电柱设置于背通孔内且导电柱与第一布线层接触，第一键合环设置于第一布线层上。本发明公开了一种MEMS芯片，包括MEMS器件以及封装结构，MEMS器件包括第二衬底、器件导出线和第二键合环，器件导出线设置于第二衬底上，第二键合环设置于第二衬底上且第二键合环与器件导出线连接，第二键合环与第一键合环键合连接，采用层叠的方式，使得封装结构和MEMS器件纵向连接，减小了两者之间的连线电阻，封装结构易于加工，成本较低。

公开(公告)号：CN103135367B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201310076889.7

申请日：2013-03-11

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 侯克玉 ,  王逸群 ,  姜春宇 ,  王德稳 ,  周震华

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上。此种可以消除绝缘材料在电子束曝光过程中产生的电荷积累效应的方法，解决了常规工艺中不能在绝缘材料上进行电子束曝光的难题，可以很好在绝缘材料上实现纳米尺度图形的制作。

公开(公告)号：CN102981359A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210492719.2

申请日：2012-11-28

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 付思齐 ,  时文华 ,  刘彬 ,  侯克玉 ,  张宝顺

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/027

摘要： 本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。本发明的光刻方法，可以凭借单次光刻，获得具有不同高度的光刻结构。

公开(公告)号：CN102981359B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210492719.2

申请日：2012-11-28

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 付思齐 ,  时文华 ,  刘彬 ,  侯克玉 ,  张宝顺

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/027

摘要： 本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。本发明的光刻方法，可以凭借单次光刻，获得具有不同高度的光刻结构。

公开(公告)号：CN109467045A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710804342.2

申请日：2017-09-08

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 黄河 ,  俞挺 ,  程伟 ,  侯克玉

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

摘要： 本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔；在所述盲孔内制作形成导电柱；在所述第一表面上制作形成第一布线层，所述第一布线层与所述导电柱接触；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀，直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露；在所述第一布线层上制作形成第一键合环；在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线；在所述第二衬底上制作形成第二键合环，所述第二键合环与所述器件导出线连接；键合所述第一键合环和所述第二键合环。该封装方法加工效率高，封装成本低，连线的长度较短，大大缩短了信号的传输路径，减小了器件与外界电路之间的电阻。

公开(公告)号：CN103135367A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310076889.7

申请日：2013-03-11

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 侯克玉 ,  王逸群 ,  姜春宇 ,  王德稳 ,  周震华

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上。此种可以消除绝缘材料在电子束曝光过程中产生的电荷积累效应的方法，解决了常规工艺中不能在绝缘材料上进行电子束曝光的难题，可以很好在绝缘材料上实现纳米尺度图形的制作。