公开(公告)号：CN111384233B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010108087.X

申请日：2017-12-25

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  唐萍 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。

公开(公告)号：CN108123028B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201711415711.5

申请日：2017-12-25

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  唐萍 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02

摘要： 本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。

公开(公告)号：CN108123028A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711415711.5

申请日：2017-12-25

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  唐萍 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02

摘要： 本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。

公开(公告)号：CN109755383B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201910125883.1

申请日：2019-02-20

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

摘要： 本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。

公开(公告)号：CN115224187A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110422281.X

申请日：2021-04-20

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  郭晨阳 ,  严政人 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  G11C11/16

摘要： 本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例，一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括：第一自旋霍尔效应层；形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层；形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层；形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。

公开(公告)号：CN111384233A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010108087.X

申请日：2017-12-25

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  唐萍 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。

公开(公告)号：CN109755383A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910125883.1

申请日：2019-02-20

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  郭晨阳 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

摘要： 本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。