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公开(公告)号:CN115224187A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202110422281.X
申请日:2021-04-20
申请人: 中国科学院物理研究所
摘要: 本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例,一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括:第一自旋霍尔效应层;形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层;形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层;形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层;以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。
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