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公开(公告)号：CN113358676B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010137511.3
申请日：2020-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G01N23/20025 , G01N23/2005 , G01N23/20008
摘要： 公开了一种应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法。本申请实施例中，应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法包括：将样品与原位芯片放入聚焦离子束仪器中；清扫所述样品的接触面表面沉积的Pt污染之后，将所述样品和所述原位芯片焊接；使用离子束清扫样品的除焊接部分以外的暴露的表面区域，制备负载有样品的原位芯片；清除所述负载有样品的原位芯片上的Pt污染。本申请实施例利用简单有效的方法降低了原位芯片的漏电流，为更实用、广泛的芯片式原位透射电镜的应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN105084290A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510395317.4
申请日：2015-07-07
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片，包括：电介质层；薄膜状的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在电介质层的上表面上并且相互间隔开；其中，第一电极具有沿第一方向延伸的第一主体部和从第一主体部的一侧沿横向于第一方向的第二方向伸出的多个第一指状部；每一第一指状部的末端部和/或侧部邻近于第二电极，从而在第一电极和第二电极之间的相互邻近处限定了电场施加区域；和在电场施加区域内形成的通孔，通孔在垂直于电介质层的上表面的方向上穿透电介质层。本发明的一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片，通过设计MEMS芯片的电极的形状和样式，使其可以对样品进行加电场或同时加热加电场。
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公开(公告)号：CN105562692B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610122237.6
申请日：2016-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种烧结模具，包括压头、模具主体、承压平台和垫片，所述模具主体上设置有多个腔体，所述压头和腔体的数量及位置相对应，所述压头固定在压板的第一面上；所述模具主体放置在所述承压平台上，所述垫片放置在所承压平台上并位于所述腔体内。本发明提供的烧结模具，在一个模具上设置多个腔体，可一次性热压合成烧结大批量样品，同时，由于多个腔体大小不同，可实现对多个腔体内的温度调控，使多个腔体内的温度可以互不相同，从而使一次获得的大批量样品实现完全差异化。且单个腔体内可以合成微量样品至微克量级，每个腔体直径分布在2‑12.7mm之间，合成材料尺寸足够进行各项表征和物理性能测试。
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公开(公告)号：CN115259238A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110476552.X
申请日：2021-04-29
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C01G53/00 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开了一种反蜂巢型富锂镍基氧化物的结构，其化学式为Li2NiO3或[Li2/3Ni1/3]O，空间群为C2/m，晶胞参数为α＝90.00°，β＝146.02°，γ＝90.00°。其结构不同于Li@Ni6蜂巢型的Li[Li1/3Ni2/3]O2，在此结构每层中均是Ni@Li6反蜂巢的配置。其合成过程为：在透射电子显微镜下，利用原位加热电镜杆对镍锂氧化物或锂盐/镍氧化物混合物进行加热并观测结构变化，600℃时此结构生成，700℃时结晶性最好，并拍摄到此结构的原子图像。同时结合第一性原理计算对此结构进行模拟，解析出其三维结构。上述结构是一种潜在的富锂正极材料，有望实现稳定的阴离子氧化还原，提高锂离子电池的能量密度。
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公开(公告)号：CN115207343A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110384756.0
申请日：2021-04-09
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M10/054 , C01G39/06 , C01B32/921 , B01J27/22 , H01G11/30 , H01G11/24
摘要： 本发明提供了一种Chevrel相Mo6S8与MXene结构的Mn+1CnTx复合材料及其制备方法及其应用。Chevrel相Mo6S8具有良好的电子电导和离子电导，MXene结构的Mn+1CnTx的电子电导很高，并且具有较高的比表面积，以上两相的复合材料可以制备免导电添加剂的电极，能够应用到二次离子电池中，另外该复合材料也可以应用于催化领域与电容器储能领域。
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公开(公告)号：CN113517406A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110665577.4
申请日：2021-06-16
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了碳电极的制备方法、碳电极及钙钛矿太阳能电池，其中，该碳电极的制备方法包括：将纳米碳粉、低温热塑性树脂、P型空穴材料和第一溶剂混合获得碳浆料；将碳浆料涂覆在基底上获得湿碳膜；将基底与其上附着的湿碳膜浸泡在第二溶剂中，以通过溶剂交换法去除湿碳膜中的第一溶剂；将浸泡后得到的带基底的湿碳膜进行烘干，制备得到第一复合碳电极；或者浸泡至湿碳膜从基底上脱落，将湿碳膜烘干制备得到柔性的第二复合碳电极。解决了钙钛矿太阳能电池采用碳电极造成的钙钛矿太阳能电池的转换效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN108154990B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611094721.9
申请日：2016-12-02
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种多层膜中非易失性斯格明子的生成方法，所述多层膜包括依次堆叠的第一重金属层、铁磁层和第二重金属层，所述第一重金属层和第二重金属层为两种不同的金属膜，所述第一重金属层和第二重金属层在与所述铁磁层的界面处诱导产生DM相互作用，所述生成方法包括如下步骤：1)：对所述多层膜施加预定的磁场，其中所述磁场的强度不足以使得所述多层膜中的条状磁畴转变为斯格明子，且所述磁场的方向不平行所述多层膜的膜面；2)：对所述多层膜施加预定的电流，使所述条状磁畴转变为斯格明子。本发明的生成方法形成了在室温、零场下稳定存在的高密度斯格明子。
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公开(公告)号：CN105562164B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610121418.7
申请日：2016-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种球磨罐，包括至少两个罐体，罐体之间固定连接，相邻的两个罐体之间形成多个球磨单元，多个所述球磨单元为相互独立的密封腔体。本发明提供的球磨罐包括多个球磨单元，可一次性完成多批次材料样品的球磨处理。且多个球磨单元之间可以实现协同振动，大大提高了球磨效率。更近一步地，多个球磨单元的设计可以保证对微量或者小量样品进行球磨的样品产率，同时，由于每个球磨单元都处于相同的球磨条件下，所以，本发明提供的球磨罐还可以保证实验的重复性和整个实验的一致性。
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公开(公告)号：CN105977122A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610577013.4
申请日：2016-07-20
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , H01J2237/20
摘要： 本发明提供一种多孔氮化硅支撑膜窗格，所述多孔氮化硅支撑膜窗格包括衬底，覆盖在所述衬底一面的正面氮化硅，覆盖在所述衬底另一面的背面氮化硅和贯穿所述衬底与背面氮化硅的窗口；所述正面氮化硅具有多个贯通孔，所述贯通孔的孔径和孔间距可控。本发明所制备的多孔氮化硅支撑膜窗格产生的多孔孔径均一，支撑膜无残留杂质。本发明还提供了该多孔氮化硅支撑膜窗格的制备方法和一种用于透射电镜成像的产品或装置。
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公开(公告)号：CN113358676A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010137511.3
申请日：2020-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G01N23/20025 , G01N23/2005 , G01N23/20008
摘要： 公开了一种应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法。本申请实施例中，应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法包括：将样品与原位芯片放入聚焦离子束仪器中；清扫所述样品的接触面表面沉积的Pt污染之后，将所述样品和所述原位芯片焊接；使用离子束清扫样品的除焊接部分以外的暴露的表面区域，制备负载有样品的原位芯片；清除所述负载有样品的原位芯片上的Pt污染。本申请实施例利用简单有效的方法降低了原位芯片的漏电流，为更实用、广泛的芯片式原位透射电镜的应用提供了可能。
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