-
公开(公告)号：CN119735917A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411926598.7
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C08L63/00 , C08K7/00 , C08K3/04 , C08K9/12 , C08K9/02 , C08K3/28 , C09D163/00 , C09D7/62 , C09D5/08 , B05D7/14
Abstract: 本发明公开了一种改性金刚石纳米片环氧防腐复合材料及其制备方法与应用，所述复合材料包括如下原料：改性金刚石纳米片和环氧树脂，所述改性金刚石纳米片包括铈盐改性金刚石纳米片。本发明通过引入稀土铈盐改性的金刚石纳米片，不仅增强了复合材料的物理屏障作用，还在金属基底出现潜在损伤时，能够发挥稀土铈离子的腐蚀抑制作用，有效减缓或阻止金属的电化学腐蚀过程，从而进一步提升了涂层的整体耐腐蚀性能和防护效果。综上所述，本发明的方案通过科学合理的改性策略和结构设计，实现了有机树脂材料耐腐蚀性能的显著提升，为长效防护性涂层的开发提供了新的思路和途径。
-
公开(公告)号：CN119753834A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411935900.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件。本发明以铍原子和磷原子共掺杂在金刚石中形成共掺杂N型金刚石，提高了载流子浓度、迁移率和低电阻率。
-
公开(公告)号：CN104553124A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410720492.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: B32B9/007 , B32B9/04 , B32B2255/20 , C23C16/0245 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用。本发明金刚石纳米针阵列复合材料包括衬底层和在所述衬底层表面形成的金刚石纳米针阵列，且在所述金刚石纳米针阵列中的金刚石纳米针表面生长有三维石墨烯层。本发明金刚石纳米针阵列复合材料制备方法包括在基体表面上沉积金刚石膜层、将所述金刚石膜层进行刻蚀成的金刚石纳米针阵列、在金刚石纳米针阵列表面生长三维石墨烯层。本发明金刚石纳米针阵列复合材料导热性能优异，性能场发射性能和稳定性能高。其制备工艺简单，条件可控性好，且其能够在气体传感器、生物传感器和电化学领域中应用。
-
公开(公告)号：CN104451556A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410658772.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C23C14/28
CPC classification number: C23C14/28
Abstract: 本发明适用于真空镀膜技术领域，公开了一种辐射式蒸发加热器及该辐射式蒸发加热器的制造方法。辐射式蒸发加热器包括加热室、蒸发皿和电源连接器件，蒸发皿连接于加热室或与加热室一体成型，加热室具有加热腔，加热腔与蒸发皿之间相隔开，加热腔内设置有通过辐射对蒸发皿进行加热的加热器件，加热器件连接于电源连接器件。制造方法用于制造上述的辐射式蒸发加热器。本发明所提供的辐射式蒸发加热器及该辐射式蒸发加热器的制造方法，其克服了现有蒸发加热装置与蒸发材料同处一室造成的加热丝损耗及薄膜污染等问题，使真空蒸发技术应用领域更加广泛；蒸镀薄膜纯度大幅提高；具有真空镀膜效果佳、成本低、更换、清洁方便等优点。
-
公开(公告)号：CN117506996A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311627114.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及智能机械设备技术领域，公开了一种夹持装置及作业机械。本发明的夹持装置包括支撑组件、至少两组双稳态元件以及驱动组件。进一步的，双稳态元件具有固定端和夹持端，其中固定端均支撑于支撑组件，各夹持端之间配合设置。更进一步的，驱动组件连接于各夹持端，用于驱动各夹持端相互远离。本发明的夹持装置及作业机械兼具作业柔顺性、高能效性和驱动策略简单化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653702A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510742481.8
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: H01L23/31 , H01L21/561 , H01L23/291 , H01L23/3157
Abstract: 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述通孔内设置有电极引线，所述电极引线的上下表面分别依次设置过渡金属层和保护层，且相邻的所述电极引线上的所述过渡金属层和所述保护层互不相连，其中，所述保护层为掺杂金刚石层。
-
公开(公告)号：CN105543803A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510945923.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/32
Abstract: 本发明适用于真空镀膜技术领域，提供了一种硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层及制备方法。所述硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层，包括沉积在硬质合金衬底上的碳化硼层，沉积在所述碳化硼层上的金刚石层，所述金刚石层为多晶金刚石层。所述硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层的制备方法，包括以下步骤：提供硬质合金衬底器具，对所述硬质合成器具进行预处理；在所述硬质合金衬底表面沉积碳化硼层；在所述碳化硼层上沉积金刚石层。
-
公开(公告)号：CN106653702B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510742481.8
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述通孔内设置有电极引线，所述电极引线的上下表面分别依次设置过渡金属层和保护层，且相邻的所述电极引线上的所述过渡金属层和所述保护层互不相连，其中，所述保护层为掺杂金刚石层。
-
公开(公告)号：CN105543803B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510945923.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明适用于真空镀膜技术领域，提供了一种硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层及制备方法。所述硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层，包括沉积在硬质合金衬底上的碳化硼层，沉积在所述碳化硼层上的金刚石层，所述金刚石层为多晶金刚石层。所述硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层的制备方法，包括以下步骤：提供硬质合金衬底器具，对所述硬质合成器具进行预处理；在所述硬质合金衬底表面沉积碳化硼层；在所述碳化硼层上沉积金刚石层。
-
公开(公告)号：CN104451556B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410658772.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明适用于真空镀膜技术领域，公开了一种辐射式蒸发加热器及该辐射式蒸发加热器的制造方法。辐射式蒸发加热器包括加热室、蒸发皿和电源连接器件，蒸发皿连接于加热室或与加热室一体成型，加热室具有加热腔，加热腔与蒸发皿之间相隔开，加热腔内设置有通过辐射对蒸发皿进行加热的加热器件，加热器件连接于电源连接器件。制造方法用于制造上述的辐射式蒸发加热器。本发明所提供的辐射式蒸发加热器及该辐射式蒸发加热器的制造方法，其克服了现有蒸发加热装置与蒸发材料同处一室造成的加热丝损耗及薄膜污染等问题，使真空蒸发技术应用领域更加广泛；蒸镀薄膜纯度大幅提高；具有真空镀膜效果佳、成本低、更换、清洁方便等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.056 seconds)
