一种新型声表面波温度传感器

    公开(公告)号:CN109405998A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201710711048.7

    申请日:2017-08-18

    IPC分类号: G01K11/26

    CPC分类号: G01K11/265

    摘要: 本发明公开了一种新型声表面波温度传感器。该新型声表面波温度传感器包括:压电衬底;置于压电衬底上的电极;置于电极上的热膨胀材料;置于压电衬底下的声阻挡层。该声表面波器件采用常规的声表面波器件结构,该结构具有多层,在声表面波材料表面之上有一层薄薄的热膨胀材料,具有增加温度敏感度的功能。压电材料的下表面长一层声阻挡层,此声阻挡层选用石墨稀材料制得。实际应用中,可通过选择热膨胀系数大的材料,增加器件的温度响应,提高器件的温度敏感特性。

    阵列器件测试装置及测试方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114264927A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111585674.9

    申请日:2021-12-22

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本公开提供一种阵列器件测试装置,包括:装载板,用于装载待测的阵列器件;主控电路板,与所述装载板电连接,用于选择所述阵列器件中特定地址的单元器件,并控制施加给所述单元器件的直流信号与脉冲信号之间的切换;半导体参数分析仪,用于输出所述直流信号或所述脉冲信号对所述特定地址的单元器件进行测试;控制主机,用于控制所述主控电路板和所述半导体参数分析仪,并对所述半导体参数分析仪测试的结果进行统计分析。本公开另一方面还提供一种阵列器件的测试方法。

    基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103258954B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201210036092.X

    申请日:2012-02-17

    IPC分类号: H01L51/00

    摘要: 本发明公开了一种基于柔性衬底的气敏传感器及其制作方法,该气敏传感器从下往上依次为:衬底、下电极、敏感膜和上电极;其中,该敏感膜位于下电极与上电极之间,其截面部分被暴露出来,使得气体在该截面处同敏感膜作用,充分发挥出敏感膜的敏感特性。本发明提供的基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法,相比于传统的平面敏感膜,具有立体敏感的性质,易于被测气体与所有敏感膜的接触,极大的发挥了敏感膜的层间作用,实现在常温或高温下对特殊气体敏感的功能。

    声表面波温度传感器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104677518A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510062494.0

    申请日:2015-02-05

    IPC分类号: G01K11/22

    摘要: 一种声表面波温度传感器,包括压电陶瓷衬底、反射栅和叉指换能器,其特征在于:所述叉指换能器采用了切比雪夫窗函数作为加权函数的变迹加权设计。依照本发明的采用切比雪夫窗函数变迹加权的声表面波温度传感器,增强温度传感器对其频率响应特性中的旁瓣的抑制能力,解决器件频率响应中主瓣识别困难的问题,增强了声表面波温度传感器的准确性和实用性,同时具有良好的频率温度特性。

    在常温下检测气体的基于柔性衬底的敏感膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103033538B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201210558635.4

    申请日:2012-12-20

    IPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本发明公开了一种制备基于柔性衬底的在常温下检测气体的敏感膜材料的方法,包括:选取一柔性衬底,并清洗该柔性衬底;在该柔性衬底表面涂敷一层光刻胶,对该光刻胶进行光刻显影,在该柔性衬底表面形成电极图形;在表面具有光刻胶及电极图形的柔性衬底上依次沉积Cr和Au;剥离该柔性衬底上的光刻胶及光刻胶上沉积的Cr和Au,形成Au电极;以及在已形成Au电极的该柔性衬底上沉积一层SnO2-PDDAC敏感膜。利用本发明,通过在Cr、Au薄膜上淀积一层SnO2-PDDAC薄膜,以此在常温下检测低浓度的醇类及氨气这类气体。SnO2与PDDAC溶液的混合一方面增强了敏感材料与柔性衬底的粘合,同时还提高了SnO2在常温下对被测气体的响应。

    一种多路多斜率的非均匀采样电路

    公开(公告)号:CN104202050A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410411971.5

    申请日:2014-08-20

    IPC分类号: H03M1/54

    摘要: 本发明公开了一种多路多斜率的非均匀采样电路,该电路包括一个减法器和多个单斜率非均匀采样器,该多个单斜率非均匀采样器包括多个上采样器和多个下采样器,其中:该多个上采样器并联连接于该减法器的第一输入端Vx,分别以一固定斜率从额定最高点向下对传感器信号进行采样;该多个下采样器并联连接于该减法器的输出端Vout,分别以一固定斜率从额定最低点向上对经该减法器变换后的传感器信号进行采样。利用本发明,使得原来采样电路对于有突起的信号无法采到的点经过负斜率的采样器之后也可以采到,增加了部分采样数据,该电路拓宽了传感器信号的适用频率范围,且降低了传感器信号的带宽,极大的提高了传感器信号的恢复可能性。

    一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法

    公开(公告)号:CN103878145A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410155237.7

    申请日:2014-04-17

    IPC分类号: B08B3/12 C30B33/00 C30B29/34

    CPC分类号: B08B3/12 C30B29/34 C30B33/00

    摘要: 本发明公开了一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法,包括如下步骤:使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗;对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干;使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗;对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干;将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。利用本发明,压缩酸性清洗流程的时间并延长碱性清洗流程的时间,同时利用更为有效的兆声清洗替代传统的超声清洗,解决了切割处理后硅酸镓镧晶片的清洗问题,提高了硅酸镓镧晶片表面的清洁度,取得了较好的清洗效果。