公开(公告)号：CN113178414A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110261633.8

申请日：2021-03-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  许静 ,  袁述 ,  张丹

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法。一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法，包括：提供表面具有碳化硅(SiC)层的半导体结构；在所述碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；然后在所述非晶层的表面沉积金属层；进行退火处理，退火温度为400～1000℃。本发明能促进金属硅化反应的进行，也有利于掺杂杂质在更低温度下激活，从而大幅降低欧姆接触结构的电阻率。

公开(公告)号：CN113130298A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110388636.8

申请日：2021-04-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  袁述 ,  许静 ,  张丹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层。通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。