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公开(公告)号：CN117524863A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311567408.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/335 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体器件技术领域，解决了现有技术刻蚀SiC的效率低，工艺复杂、沟槽均匀性差、沟槽形貌调节难度高的问题。该制作方法包括提供SiC衬底；沿SiC衬底的厚度方向刻蚀通孔；在通孔内以及SiC衬底上外延P型SiC；在SiC衬底的底部形成缓冲层和漏极；在P型外延层上形成用于接触的N+型SiC层；形成沟槽、栅极、源极和金属层。本发明制备半导体器件的工艺易于控制，并且形成沟槽的效率明显增加。
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