公开(公告)号：CN112652663A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011433575.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李梦华 ,  罗军 ,  许静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。

公开(公告)号：CN112652663B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202011433575.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李梦华 ,  罗军 ,  许静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。