公开(公告)号：CN110061063A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910336882.1

申请日：2019-04-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  揣喜臣 ,  杨冠华 ,  李泠 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层上；在所述二维半导体沟道层的表面制备同心圆形状的源电极和漏电极；其中，外圆为所述漏电极，内圆为所述源电极。本发明利用同心圆形状的源、漏电极之间形状的不同，使得源、漏电极之间更容易产生高场区域，从而使晶体管在比较低的源漏电压下就实现饱和特性，使晶体管的工作过程中降低操作电压和功耗。

公开(公告)号：CN109671781B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201811562389.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  李泠 ,  揣喜臣 ,  杨冠华 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 在本公开中，提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；有源层，由二维材料构成，位于栅介质层上；偶极矩层，为薄膜包裹的液体材料，位于有源层上；源电极以及漏电极，位于有源层上；还提供一种基于二维材料的晶体管的制备方法，用于制备以上的基于二维材料的晶体管，基于二维材料的晶体管的制备方法，包括：步骤A：在绝缘层衬底上制备金属栅电极；步骤B：在步骤A所制备的金属栅电极上沉积栅介质层；步骤C：在步骤B所沉积的栅介质层上制备有源层；步骤D：在步骤C所制备的有源层上制作源电极和漏电极；以及步骤E：在步骤C所制备的有源层上制备偶极矩层，完成基于二维材料的晶体管的制备。

公开(公告)号：CN110098256B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201910336883.6

申请日：2019-04-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  李泠 ,  揣喜臣 ,  杨冠华 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管，包括：绝缘层衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极以及极性层；所述栅电极位于所述绝缘层衬底上方，所述栅介质层位于所述栅电极上，所述有源层位于所述栅介质层上方，所述源电极与漏电极位于所述有源层的表面，所述极性层位于所述有源层上方；其中，所述有源层为二维半导体材料，所述极性层为铁电薄膜材料。本发明提供的场效应晶体，具有更低的亚阈值摆幅，并调节阈值电压，提高了晶体管的开关速度和稳定性，降低了晶体管的信号噪音和功耗。

公开(公告)号：CN111048622A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911172238.1

申请日：2019-11-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  段新绿 ,  刘明 ,  李泠 ,  杨冠华 ,  陆丛研 ,  史学文 ,  王嘉玮 ,  耿玓 ,  揣喜臣 ,  姜文峰

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及半导体器件设计及制备技术领域，尤其涉及光学晶体管及其制备方法，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极、钝化层和遮光层；所述栅电极形成在所述衬底的表面；所述栅介质层形成在所述衬底上包含所述栅电极的一面；所述有源层形成在所述栅介质层的表面；所述源电极和所述漏电极形成在所述有源层上；所述钝化层形成在所述有源层上包含所述源电极和所述漏电极的一面，其中，所述钝化层的材料为SU-8光刻胶；所述遮光层形成在所述钝化层的表面。本申请通过利用SU-8光刻胶作为钝化层，能够降低光学晶体管的阈值电压，提高了光学晶体管的性能。

公开(公告)号：CN110112073A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910326880.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 揣喜臣 ,  卢年端 ,  杨冠华 ,  李泠 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层表面；在所述二维半导体沟道层的两侧制备源电极和漏电极；在所述二维半导体沟道层表面，根据不同的沟道类型调节钝化层元素的生长顺序，循环往复的生长钝化层。本发明提供的场效应晶体管制备方法，可以制备出更低亚阈值摆幅的场效应晶体管，并调节了晶体管的阈值电压，提高了晶体管的开关速度和稳定性，降低了晶体管的信号噪音和功耗。

公开(公告)号：CN109671781A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811562389.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  李泠 ,  揣喜臣 ,  杨冠华 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 在本公开中，提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；有源层，由二维材料构成，位于栅介质层上；偶极矩层，为薄膜包裹的液体材料，位于有源层上；源电极以及漏电极，位于有源层上；还提供一种基于二维材料的晶体管的制备方法，用于制备以上的基于二维材料的晶体管，基于二维材料的晶体管的制备方法，包括：步骤A：在绝缘层衬底上制备金属栅电极；步骤B：在步骤A所制备的金属栅电极上沉积栅介质层；步骤C：在步骤B所沉积的栅介质层上制备有源层；步骤D：在步骤C所制备的有源层上制作源电极和漏电极；以及步骤E：在步骤C所制备的有源层上制备偶极矩层，完成基于二维材料的晶体管的制备。

公开(公告)号：CN110112073B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910326880.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 揣喜臣 ,  卢年端 ,  杨冠华 ,  李泠 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层表面；在所述二维半导体沟道层的两侧制备源电极和漏电极；在所述二维半导体沟道层表面，根据不同的沟道类型调节钝化层元素的生长顺序，循环往复的生长钝化层。本发明提供的场效应晶体管制备方法，可以制备出更低亚阈值摆幅的场效应晶体管，并调节了晶体管的阈值电压，提高了晶体管的开关速度和稳定性，降低了晶体管的信号噪音和功耗。

公开(公告)号：CN110098256A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910336883.6

申请日：2019-04-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 卢年端 ,  李泠 ,  揣喜臣 ,  杨冠华 ,  耿玓 ,  刘明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管，包括：绝缘层衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源电极、漏电极以及极性层；所述栅电极位于所述绝缘层衬底上方，所述栅介质层位于所述栅电极上，所述有源层位于所述栅介质层上方，所述源电极与漏电极位于所述有源层的表面，所述极性层位于所述有源层上方；其中，所述有源层为二维半导体材料，所述极性层为铁电薄膜材料。本发明提供的场效应晶体，具有更低的亚阈值摆幅，并调节阈值电压，提高了晶体管的开关速度和稳定性，降低了晶体管的信号噪音和功耗。