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公开(公告)号：CN105719964A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410738446.4
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供了提出了一种平坦化的方法，包括：提供衬底，衬底上形成有填充层；在填充层上形成光刻胶层；采用等离子体刻蚀进行光刻胶层和填充层的回刻，光刻胶层与填充层具有基本相同的刻蚀速率。利用本发明的方法在回刻后，可以获得平坦的填充层的表面，实现全局的、均匀的平坦化。
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