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公开(公告)号:CN106533447B
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201610886281.4
申请日:2016-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于抗辐射电路技术领域,公开了一种动态比较器,包括:预存放大器电路,用于执行比较操作并锁存输出比较结果;锁存转换电路,与所述预存放大器电路相连,接收所述比较结果,消除单粒子翻转以及单粒子瞬态脉冲,并输出稳定的比较结果;输出锁存电路,与所述锁存转换电路相连,接收所述稳定的比较结果,并锁存输出。本发明提供了一种抗单粒子翻转和瞬态脉冲性能有益的动态比较器。
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公开(公告)号:CN106533447A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201610886281.4
申请日:2016-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于抗辐射电路技术领域,公开了一种动态比较器,包括:预存放大器电路,用于执行比较操作并锁存输出比较结果;锁存转换电路,与所述预存放大器电路相连,接收所述比较结果,消除单粒子翻转以及单粒子瞬态脉冲,并输出稳定的比较结果;输出锁存电路,与所述锁存转换电路相连,接收所述稳定的比较结果,并锁存输出。本发明提供了一种抗单粒子翻转和瞬态脉冲性能有益的动态比较器。
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公开(公告)号:CN205900097U
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201620835458.3
申请日:2016-08-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/417
Abstract: 本实用新型属于抗辐射电路技术领域,公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器,包括:至少两个相同的子模块;第i个子模块的端口为Ai_1、Ai_2、Bi_1、Bi_2、WLi、BLi与BLBi;子模块中包括6个MOSFET,其中PMi_1漏极与NMi_1漏极连接部分构成存储节点i_1,PMi_2漏极与NMi_2漏极连接部分构成存储节点i_2。i_1与i_2存储数据的逻辑值相反;子模块之间的连接关系为Ai_1与Bi-1_2连接,Ai-1_2与Bi_1连接,Ai_2与Bi+1_1连接,Ai+1_1与Bi_2连接,BLi-1、BLi、BLi+1与BL连接,BLBi-1、BLBi、BLBi+1与BLB连接,WLi-1、WLi、WLi+1与WL连接,A1_1与Bn_2连接,An_2与B1_2连接。本实用新型提供了一种抗辐射能力强,抗SEU能力稳定,读写速度快得存储器。
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