一种制备高热电性能金属氧化物的方法

    公开(公告)号:CN103265294A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201310187730.2

    申请日:2013-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种制备高热电性能金属氧化物的方法,包括以下三个步骤:a、异质原子掺杂的金属氧化物纳米颗粒的合成;b、机械球磨混合;和c、金属氧化物纳米颗粒的烧结。本发明采用燃烧法制备异质原子掺杂的金属氧化物纳米颗粒,合成简单快速,一步合成,且重复性高。本发明在降低热导率的同时最大限度地提高与电学性能相关的功率因子,从而大幅度地提高热电材料的ZT值,即热电性能。

    一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法

    公开(公告)号:CN104310320B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410443345.4

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法,将锑前驱物溶于多元醇中,然后将前述溶液跟碲前驱物和络合剂混合,于140~180℃下加热搅拌后,冷却至100~120℃后加入还原剂,在120~180℃下反应6~48h得到沉淀,然后用无水乙醇清洗直至清洗液呈中性,清洗后的沉淀物真空干燥得到碲化锑微纳米晶,得到的碲化锑微纳米晶经冷压成片状后在Ar和H2的体积比为92%﹕8%的混合气体中300~400℃退火2~24h得到碲化锑块体材料,所得的碲化锑微纳米晶及其块体材料具有纯度高、热电性能好等特点,且制备方法简单、成本低、易重复、适用于批量化生产,很有商业化前景。

    一种用于调控相变温度的非化学计量比型纳米VO2-x粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN104817113A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201510176784.8

    申请日:2015-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于调控相变温度的非化学计量比型纳米VO2-x粉体的制备方法,草酸、去离子水和钒源得到的前驱体经水热反应和退火处理得到目标产品,该产品化学计量比可调控(x=0~0.05),且相变温度在Tc=63.0~53.5℃的范围内可调节,是一种相变性能更加优异的材料,更利应用于制作热致变色智能窗、场效应晶体管等。本发明生产周期短、工艺简单、反应条件温和、绿色无污染、成本低廉,适合大规模生产,制备出来的粉体可以结合粉体成膜工艺,制备出大面积相变温度可调的VO2-x薄膜,有利于突破二氧化钒智能窗的应用瓶颈。

    一种p型或n型高热电性能材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102157674B

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201110047969.0

    申请日:2011-02-28

    Abstract: 本发明提供一种中高温性能稳定、原材料丰富且环境友好的p型或n型高热电性能材料的制备方法。其特征在于利用钛酸盐纳米管的纳米结构来取得高热电性能,通过在水热反应中掺入p型掺杂物质或n型掺杂物质的方式来分别制得p型或n型的热电材料。具体步骤为:(1)将二氧化钛粉末和p型掺杂物质的原料或n型掺杂物质的原料溶于8~12M的氢氧化钠溶液中,搅拌后置于400ml搅拌水热反应釜中反应;(2)将白色沉淀物用pH值为1~2的酸性溶液浸泡2~4小时后用蒸馏水清洗至中性;(3)清洗后的白色沉淀物在加热炉中150~200℃下干燥得到钛酸盐纳米管热电新材料。本发明产品经实验验证具有低导热系数和较高的塞贝克系数,是具有高热电性能的中高温热电材料的理想候选者。

    一种p型或n型高热电性能材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102157674A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110047969.0

    申请日:2011-02-28

    Abstract: 本发明提供一种中高温性能稳定、原材料丰富且环境友好的p型或n型高热电性能材料的制备方法。其特征在于利用钛酸盐纳米管的纳米结构来取得高热电性能,通过在水热反应中掺入p型掺杂物质或n型掺杂物质的方式来分别制得p型或n型的热电材料。具体步骤为:(1)将二氧化钛粉末和p型掺杂物质的原料或n型掺杂物质的原料溶于8~12M的氢氧化钠溶液中,搅拌后置于400ml搅拌水热反应釜中反应;(2)将白色沉淀物用PH值为1~2的酸性溶液浸泡2~4小时后用蒸馏水清洗至中性;(3)清洗后的白色沉淀物在加热炉中150~200℃下干燥得到钛酸盐纳米管热电新材料。本发明产品经实验验证具有低导热系数和较高的塞贝克系数,是具有高热电性能的中高温热电材料的理想候选者。

    一种用于调控相变温度的非化学计量比型纳米VO2-x粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN104817113B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201510176784.8

    申请日:2015-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于调控相变温度的非化学计量比型纳米VO2?x粉体的制备方法,草酸、去离子水和钒源得到的前驱体经水热反应和退火处理得到目标产品,该产品化学计量比可调控(x=0~0.05),且相变温度在Tc=63.0~53.5℃的范围内可调节,是一种相变性能更加优异的材料,更利应用于制作热致变色智能窗、场效应晶体管等。本发明生产周期短、工艺简单、反应条件温和、绿色无污染、成本低廉,适合大规模生产,制备出来的粉体可以结合粉体成膜工艺,制备出大面积相变温度可调的VO2?x薄膜,有利于突破二氧化钒智能窗的应用瓶颈。

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