公开(公告)号：CN106567049A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610882869.2

申请日：2016-10-10

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 黄峰 ,  舒瑞 ,  黄庆 ,  李朋 ,  孟凡平 ,  葛芳芳 ,  朱萍

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0688

Abstract: 本发明公开了一种MAX相陶瓷涂层，此涂层组成为V2AlxC2‑x，x＝0.7～1.5，涂层为柱状晶生长结构，每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成，且C原子层位于两层V原子层之间，涂层密度为4.5～5.2g/cm3。本发明还公开了所述MAX相陶瓷涂层的制备方法，采用双靶磁控溅射法并辅助射频叠加中频的电源施加方式，在制备温度为550～650℃的情况下，在非晶基体上非外延生长出所述MAX相陶瓷涂层。该制备条件下获得的V2AlxC2‑x涂层纯度达到了99.9％，涂层硬度在13～16GPa。此方法一步合成，成本较低，可控制性强，有利于MAX相涂层低温制备和多领域应用。

公开(公告)号：CN106567049B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610882869.2

申请日：2016-10-10

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 黄峰 ,  舒瑞 ,  黄庆 ,  李朋 ,  孟凡平 ,  葛芳芳 ,  朱萍

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种MAX相陶瓷涂层，此涂层组成为V2AlxC2‑x，x＝0.7～1.5，涂层为柱状晶生长结构，每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成，且C原子层位于两层V原子层之间，涂层密度为4.5～5.2g/cm3。本发明还公开了所述MAX相陶瓷涂层的制备方法，采用双靶磁控溅射法并辅助射频叠加中频的电源施加方式，在制备温度为550～650℃的情况下，在非晶基体上非外延生长出所述MAX相陶瓷涂层。该制备条件下获得的V2AlxC2‑x涂层纯度达到了99.9％，涂层硬度在13～16GPa。此方法一步合成，成本较低，可控制性强，有利于MAX相涂层低温制备和多领域应用。