公开(公告)号：CN112853270A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911194618.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 姜鹏 ,  袁敏 ,  包信和

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法：本发明在管式石英炉中，利用物理气相输运方法，通过垂直放置衬底及调节生长温度(400‑600℃)，使用GeSe作为生长源，实现在多种衬底上生长均匀硒化锗薄膜。所制备的材料成分均一，膜厚均匀性优于10％。本发明所述方法操作简单，成本低廉。所制备硒化锗薄膜在可见光区域的吸收光谱与薄膜厚度密切相关，可用于制备超薄光电子器件的硒化锗涂层、玻璃薄膜以及热电薄膜。

公开(公告)号：CN112853270B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201911194618.5

申请日：2019-11-28

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 姜鹏 ,  袁敏 ,  包信和

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法：本发明在管式石英炉中，利用物理气相输运方法，通过垂直放置衬底及调节生长温度(400‑600℃)，使用GeSe作为生长源，实现在多种衬底上生长均匀硒化锗薄膜。所制备的材料成分均一，膜厚均匀性优于10％。本发明所述方法操作简单，成本低廉。所制备硒化锗薄膜在可见光区域的吸收光谱与薄膜厚度密切相关，可用于制备超薄光电子器件的硒化锗涂层、玻璃薄膜以及热电薄膜。