-
公开(公告)号：CN104979421B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410145563.X
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01L31/078 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种叠层太阳能电池。该电池由非晶硅薄膜顶电池和钙钛矿中电池和纳米晶硅底电池构成，或者由非晶硅薄膜电池作为顶电池，钙钛矿电池作为底电池的双叠层结构。非晶硅，钙钛矿，纳米晶硅(晶体硅)三种材料的光学带隙非常匹配（1.75eV,1.5eV,1.12eV），可以分段吸收不同波段的光。非晶硅薄膜顶电池和纳米晶硅薄膜底（或者晶体硅，纳米晶硅锗，非晶硅锗）把钙钛矿夹在中间可以保护钙钛矿电池，减少其对大气和水对钙钛矿电池的影响。同时非晶硅顶电池可以吸收紫外光，对钙钛矿子电池起到保护作用。另外，顶层的非晶硅层比钙钛矿电池有更好的紫外和蓝光响应。弥补了钙钛矿中电池的不足。
-
公开(公告)号：CN104240961B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310231649.X
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体为一类用于染料敏化太阳电池的新型对电极及其制备方法。该对电极是在导电衬底上使用喷雾的方法制备一层多金属硫化合物的非铂催化剂，多金属硫化合物催化剂粒径从1纳米到100微米，它至少由一种ⅥB和一种ⅧB金属组成。所述硫化合物具有合成方法简单，合成温度低，稳定性强，且与FTO基底附着性强。本发明工艺简单，所制备的非铂催化剂不仅催化活性高，且价格低廉，大大降低了对电极的成本，且喷涂工艺适合在电池中大面积应用。
-
公开(公告)号：CN103545112A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210243209.1
申请日：2012-07-13
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备，其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成，光阳极与对电极使用热封膜隔开，中间注入电解质。其中，光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应，对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料，使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料表面生长多种n型半导体敏化剂薄膜组成太阳电池的光阳极，大大拓宽光阳极的吸光范围，同时半导体薄膜敏化层使宽带隙半导体与电解质隔开，大幅降低光生载流子在界面的复合，显著提高太阳电池的效率。
-
公开(公告)号：CN102260046A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010185766.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及低维纳米材料薄膜的合成，是一种定向纳米棒结构氧化锌薄膜的微波合成方法，其采用微波水热沉积法，以摩尔浓度为1～150mM的锌盐溶液和六次甲基四胺溶液为原料，将空白基底放入微波消解容器内侧，然后密封放入微波消解仪50℃～180℃反应0～4h后，自然冷却，在基底上定向生长出高结晶度的ZnO纳米棒阵列组成的薄膜，纳米棒直径约为50～300nm。本发明采用微波水热法结合微波和水热法优点，提高薄膜的结晶性能，大幅改进薄膜的质量。本方法合成时间短，合成温度低，无需晶种诱导水热沉积，生长的纳米棒结构ZnO薄膜微观形貌均匀、结晶性能好、垂直于基底方向生长，适宜于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN105668623B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410660157.7
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种Bi19S27Br3纳米线制备方法。采用一种简单的胶晶溶液法，以BiBr3和双(三甲基硫化硅)作为原料，油胺和油酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂，利用金属离子(如Al3+、Fe3+、Fe2+，Co3+、Co2+、Ni2+等)控制纳米线的形貌和物相。反应采用标准的无水无氧操作装置(史兰克线)进行，反应温度140～240℃，反应时间5～120min。本发明的半导体纳米线制备方法简单易行，反应条件温和，操作成本低，且制备的纳米线形貌规整、尺寸均一。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104240961A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310231649.X
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体为一类用于染料敏化太阳电池的新型对电极及其制备方法。该对电极是在导电衬底上使用喷雾的方法制备一层多金属硫化合物的非铂催化剂，多金属硫化合物催化剂粒径从1纳米到100微米，它至少由一种ⅥB和一种ⅧB金属组成。所述硫化合物具有合成方法简单，合成温度低，稳定性强，且与FTO基底附着性强。本发明工艺简单，所制备的非铂催化剂不仅催化活性高，且价格低廉，大大降低了对电极的成本，且喷涂工艺适合在电池中大面积应用。
-
公开(公告)号：CN103508482A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210224000.0
申请日：2012-06-29
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种在透明导电玻璃基底上硫化镉纳米花阵列的制备方法。主要步骤如下：（一）将清洗干净的透明导电玻璃基底置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米棒阵列；（二）将长有硫化镉纳米棒阵列的透明导电玻璃基底进行氧等离子体清洗处理或者用稀酸处理其表面；（三）将透明导电玻璃基底再次置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米花阵列。本发明操作简单可控，有利于直接制备电子器件。
-
公开(公告)号：CN102260046B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010185766.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及低维纳米材料薄膜的合成，是一种定向纳米棒结构氧化锌薄膜的微波合成方法，其采用微波水热沉积法，以摩尔浓度为1～150mM的锌盐溶液和六次甲基四胺溶液为原料，将空白基底放入微波消解容器内侧，然后密封放入微波消解仪50℃～180℃反应0～4h后，自然冷却，在基底上定向生长出高结晶度的ZnO纳米棒阵列组成的薄膜，纳米棒直径约为50～300nm。本发明采用微波水热法结合微波和水热法优点，提高薄膜的结晶性能，大幅改进薄膜的质量。本方法合成时间短，合成温度低，无需晶种诱导水热沉积，生长的纳米棒结构ZnO薄膜微观形貌均匀、结晶性能好、垂直于基底方向生长，适宜于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN1235799C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01138950.8
申请日：2001-12-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明提供一种钛硅介孔分子筛的合成方法，以非离子型表面活性剂P123为模板剂，以F-为催化剂，硅源和钛源在酸性条件下合成，制备过程如下：(1)模板剂配成酸性液，在35～80℃搅拌5～24小时；(2)将氟化物加入搅拌5小时以上；(3)将硅源和钛源混合，搅拌下加入并继续搅拌12～48小时，得初始凝胶产物；(4)将所得产物于40～100℃下晶化12小时以上；(5)将沉淀分离、洗涤、干燥后，在450～800℃焙烧5小时以上，得产品。本发明对环境比较友好，成本较低，Ti能有效进入分子筛骨架中，无TiO2杂相产生，条件温和，操作易行。
-
公开(公告)号：CN105271394B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410339244.2
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种在透明导电玻璃基底上制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列薄膜的方法。主要步骤：将钛前驱体与含有有机胺络合剂的水溶液混合均匀，再加入乙二胺四乙酸二钠及其它多羧酸钠盐配制成反应液；将清洗干净的透明导电玻璃基底放置于水热反应釜中，加入钛前驱体反应液加热反应，充分反应后取出导电玻璃基底，冲洗，吹干，得到钛酸盐纳米片阵列薄膜；将钛酸盐纳米片阵列薄膜用稀酸水溶液进行阳离子交换，充分交换后冲洗，吹干；将离子交换后的钛酸盐纳米片阵列薄膜置于马弗炉中高温焙烧，冷却后取出导电玻璃基底，即可得到锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列薄膜。本发明操作简单，可控性好，薄膜与基底结合牢固，适合在光电器件中应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.01 seconds)
