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公开(公告)号：CN111474703A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071616.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G02B26/02
Abstract: 本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角度是介质膜透镜的两倍，旋转方向与介质膜透镜的相同。本发明可以在不改变入射激光传播方向和光强在空间中的相对分布的前提下，对高能激光的功率进行连续衰减。
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公开(公告)号：CN115541067A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211012250.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件，包括微纳器，所述微纳器包括壳体，壳体的上部为安装口，壳体内底部设置有印刷电路板，所述壳体内两侧对称设置有衬垫，所述衬垫下端与印刷电路板相连，对应安装口位置的壳体另外两侧内对称设置有弹簧梁组件，两个弹簧梁组件之间共同水平固装一质量块，实施质量块的中心处制有凹槽，用于限位安装有永磁体，所述质量块相对衬板两侧中部等间距排列有可移动平行极板，所述可移动平行极板、质量块和永磁铁构成活动体，且衬垫相对侧壁上等间距排列有固定平行极板，固定平行极板另一端穿插在所述可移动平行极板的间隔中。本发明可以对在生产工况下对金属薄板的微缺陷进行检测、且检测精度高。
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公开(公告)号：CN111400848A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811616335.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法，包括：构建一太赫兹波探测器模型；设置一束频率变化的平面太赫兹波，垂直入射到集成天线的太赫兹波探测器模型上；提取所述太赫兹波探测器模型的场效应晶体管的沟道中一位置的电场强度；计算所述天线在不同频率处产生的电场增强，得到电场增强随频率的变化关系；根据计算得出的所述变化关系获取所述天线的中心频率；根据所述天线的中心频率确定天线的结构以及尺寸。本发明不用提取场效应晶体管的栅源电极之间的输入阻抗，同时可以直观地与太赫兹波探测器响应度相关联，是一种直观有效的太赫兹天线设计方法。
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公开(公告)号：CN109682364A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN109682364B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115367693B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN118908145A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410955542.8
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。
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公开(公告)号：CN117954517A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410081287.9
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种全介质双C字形凹槽超表面陷光结构及其制备方法和应用。该全介质双C字形凹槽超表面陷光结构包括：通过刻蚀氮化硅薄膜而形成的双C字形凹槽阵列超表面，用于减小表面光的反射率，增加光在薄膜电池内部的光程，从而增加电池的短路电流密度；其中，该双C字形凹槽阵列超表面具有多个呈阵列式排布的双C字形凹槽单元，每个双C字形凹槽单元均为非中心对称的全介质双C字形凹槽。利用本发明，有效解决了现有技术在制作太阳能电池光电转化效率低和超表面中阵列结构的工艺一致性难以保证的问题。
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公开(公告)号：CN115367693A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN111579147B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010482344.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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