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公开(公告)号:CN109626318B
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN201811579463.2
申请日:2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器,该盖板结构,用于微机电器件晶圆级封装,包括:密封盖板,其上设有一凹槽,该凹槽形成一容置空间;电极板,位于凹槽形成的容置空间之内,与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙;第一垂直通孔,设置于电极板之下,贯穿凹槽下方的密封盖板;第二垂直通孔,设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分;以及第一电极引线和第二电极引线,分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器,具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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公开(公告)号:CN109626318A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811579463.2
申请日:2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器,该盖板结构,用于微机电器件晶圆级封装,包括:密封盖板,其上设有一凹槽,该凹槽形成一容置空间;电极板,位于凹槽形成的容置空间之内,与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙;第一垂直通孔,设置于电极板之下,贯穿凹槽下方的密封盖板;第二垂直通孔,设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分;以及第一电极引线和第二电极引线,分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器,具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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公开(公告)号:CN105306003A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201510810985.9
申请日:2015-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括:依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层,该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元,驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层,检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层,驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层,所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上;所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
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公开(公告)号:CN110773408A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201911080138.6
申请日:2019-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明公开了一种电容式微纳超声换能器及其制备方法。该电容式微纳超声换能器包括:衬底;凹槽阵列,包括多个阵列式排布的凹槽,该凹槽形成容置空间,设置于衬底的上表面;下电极板,设置于凹槽阵列的容置空间之内;上电极板,设置于凹槽阵列之上,并与衬底的上表面接触连接;下电极引线,贯穿衬底,并与凹槽阵列中的下电极板接触连接;上电极引线,贯穿于衬底上不具有凹槽阵列的区域,并与上电极板电性连接。本发明提供的该电容式微纳超声换能器及其制备方法,具有工艺简单、垂直引线减少寄生电容及互连电阻、封装气密性好、易与电路芯片实现三维堆叠集成的优点,可提高系统的性能和可靠性。
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公开(公告)号:CN105306003B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201510810985.9
申请日:2015-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括:依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层,该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元,驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层,检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层,驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层,所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上;所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
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