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公开(公告)号：CN100369203C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410096744.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , C30B19/00
Abstract: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在生长温度范围内和过冷度的条件下在衬底进行外延生长。
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公开(公告)号：CN100465547C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610109940.X
申请日：2006-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F24J2/38
CPC classification number: Y02E10/47
Abstract: 一种双轨道太阳同步跟踪装置，包括：一个平行于地面的圆形导轨；一方形转动架，该方形转动架的下面装有滚轮，该方形转动架位于圆形导轨的上方，该方形转动架的滚轮与圆形导轨配合，该方形转动架的上面安装有导轮；一圆弧形转动架，该圆弧形转动架为一矩形，其两侧安装有半圆形的弧形导轨，该圆弧形转动架位于方形转动架的上方，该半圆形的弧形导轨与方形转动架上面的导轮配合；采光板，该采光板为条状，该采光板依一固定角度横向固定在圆弧形转动架的上面，以收集太阳光；一第一及第二电机，该第一电机位于方形转动架的下方，该第二电机位于圆弧形转动架的一侧。
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公开(公告)号：CN101131259A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610109940.X
申请日：2006-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F24J2/38
CPC classification number: Y02E10/47
Abstract: 一种双轨道太阳同步跟踪装置，包括：一个平行于地面的圆形导轨；一方形转动架，该方形转动架的下面装有滚轮，该方形转动架位于圆形导轨的上方，该方形转动架的滚轮与圆形导轨配合，该方形转动架的上面安装有导轮；一圆弧形转动架，该圆弧形转动架为一矩形，其两侧安装有半圆形的弧形导轨，该圆弧形转动架位于方形转动架的上方，该半圆形的弧形导轨与方形转动架上面的导轮配合；采光板，该采光板为条状，该采光板依一固定角度横向固定在圆弧形转动架的上面，以收集太阳光；一第一及第二电机，该第一电机位于方形转动架的下方，该第二电机位于圆弧形转动架的一侧。
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公开(公告)号：CN101192632A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610144307.4
申请日：2006-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种聚光太阳电池单元，其特征在于，包括：一散热片；一管座，该管座位于散热片的上面；一太阳电池芯片，该太阳电池芯片焊接在管座的上面；一导光筒，该导光筒为一锥形筒状，其端部有一开放口，该导光筒的开放口罩扣于电池芯片的上面，该导光筒与管座连接；该导光筒的内壁为镜面反射器；一菲涅尔透镜，该菲涅尔透镜位于导光筒的大径端上面，并与之连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1987290A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510130694.1
申请日：2005-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F24J2/38
CPC classification number: Y02E10/47
Abstract: 本发明是一种太阳同步跟踪装置及其设计方法，包括如下步骤：首先制作一角速度与地球自转角速度大小相等方向相反的转动机构；再在转轴上方固定与转轴成±23.5度角间连续可调的采光板。装置包括：一个支架(1)，该支架上固定有一个可以旋转的转轴(2)，转轴下方放置转动控制机构(3)，转轴上方放置一采光板(6)，采光板和转轴间有可以调节采光板和转轴间角度的变角支架(4)、(5)。
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公开(公告)号：CN1953316A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510086644.8
申请日：2005-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及跟踪装置技术领域，特别是一种聚光型太阳能电池的跟踪装置及其方法。1)在太阳转动平面上通过转动装置控制，实现太阳转动平面上对太阳的同步跟踪；2)通过在转轴方向平移太阳电池板或平移粘有光学透镜的聚光面板来实现对太阳俯仰变化的跟踪。装置包括：一个支架(1)，该支架上固定有一个可以旋转的转轴(2)，转轴上方放置一电池板(3)，电池板上方有一会聚太阳光用的透镜面(4)，电池板(3)和透镜面(4)间在南北方向可相对平移。
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公开(公告)号：CN1789501A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410098932.0
申请日：2004-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法，其特征在于，步骤如下：以半导体材料GaSb为衬底；以高能Mn离子注入到该衬底上形成磁性半导体Ga1－xMnxSb单晶。本发明的优点是外延层化学稳定性高，设备简单，生长费用低。用高能离子注入法制备的稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶可望应用于新型磁电、磁光和光电器件上。
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公开(公告)号：CN1783434A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410096744.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , C30B19/00
Abstract: 一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在生长温度范围内和过冷度的条件下在衬底进行外延生长。
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公开(公告)号：CN1772973A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200410094647.1
申请日：2004-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B19/00
Abstract: 一种磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法，包括如下步骤：步骤1：以锑化镓单晶片为衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：将纯镓、纯锰按比例放在石英容器中，在真空高温环境中合成镓锰合金；步骤4：将纯镓、镓锰合金和锑化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解混合后，进行过冷外延生长；步骤5：生长容器中的生长母液为镓、锰、锑；步骤6：在GaSb单晶片衬底上直接生长镓锰锑外延层，或先在衬底上生长缓冲层，然后再生长外延层；步骤7：在衬底上生长镓锰锑单层结构，或生长多层结构。
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