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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101916965A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
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公开(公告)号：CN101859983B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体波导阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体波导阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN101859983A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体结构阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体结构阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN101916965B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
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