-
公开(公告)号:CN109820481B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN201910132172.7
申请日:2019-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种神经光电极及其制备方法,属于神经光电极制备领域,其中,神经光电极包括:蓝宝石光阵列器件、金属丝电极以及紫外胶;所述金属丝电极通过所述紫外胶固定于所述蓝宝石光阵列器件的表面。本发明采用蓝宝石光阵列与金属丝电极相贴附的方式,将刺激通道以及记录通道在空间范围内隔离,有效的降低电刺激噪声;便于组装,金属丝电极的位置以及数量可以依据需求进行组装;光源采用光阵列的方式有利于对多个脑区进行刺激并记录,实现神经活动的高通量检测。
-
公开(公告)号:CN117838130A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311872892.X
申请日:2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/25 , A61B5/263 , A61B5/265 , A61B5/294 , A61B5/388 , A61B5/369 , A61B5/293 , A61N1/05 , A61N1/372 , A61N1/375 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供了一种植入式神经微电极及其制作方法,该制作方法包括:准备硬质基板(1),硬质基板(1)的上表面有多个第一接口,各第一接口以阵列的方式排列;将硬质基板(1)的各第一接口与转接板(2)的第一预设区域的多个通孔对齐,并将各第一接口通过金丝压焊技术紧密内嵌于各通孔中,其中,第一预设区域位于转接板(2)的第一端(21);通过金丝压焊技术制作金属丝阵列(3),金属丝阵列(3)由多个金属丝组成,各金属丝垂直于转接板(2)所在的平面,利用金丝压焊技术将各金属丝的一端通过转接板(2)的通孔与各第一接口进行焊接,未被焊接的另一端用于接收神经信号。
-
公开(公告)号:CN109820481A
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201910132172.7
申请日:2019-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种神经光电极及其制备方法,属于神经光电极制备领域,其中,神经光电极包括:蓝宝石光阵列器件、金属丝电极以及紫外胶;所述金属丝电极通过所述紫外胶固定于所述蓝宝石光阵列器件的表面。本发明采用蓝宝石光阵列与金属丝电极相贴附的方式,将刺激通道以及记录通道在空间范围内隔离,有效的降低电刺激噪声;便于组装,金属丝电极的位置以及数量可以依据需求进行组装;光源采用光阵列的方式有利于对多个脑区进行刺激并记录,实现神经活动的高通量检测。
-
-