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发明公开
调控P型GaAs自旋轨道耦合的方法及装置审中-实审

公开(公告)号：CN116568118A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210103636.3

申请日：2022-01-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 曾晓琳 , 陈涌海 , 吴静 , 朱申波

IPC: H10N50/01 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/207 , G01N21/21

Abstract: 本公开提供了一种调控P型GaAs自旋轨道耦合的方法，包括：在衬底上沿[001]晶向生长P型GaAs材料；沿[110]晶向切割得到条形P型GaAs样品；将条形P型GaAs样品的两端固定，在其中间任意一点施加沿[001]晶向的应力，使其在该应力施加点的两侧分别产生沿[110]晶向梯度增加和减小的应变，以调控P型GaAs的自旋轨道耦合。本公开的方法简单易行、成本低廉，且调控效果明显，调控范围较大。

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