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公开(公告)号：CN112803802A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011643521.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器电源驱动装置，包括：整流模块，包括整流输入端和整流输出端，其中，整流输入端用于与电网连接，整流模块用于将来自电网的第一交流电转换为第一直流电；调制模块，包括调制输入端和调制输出端，其中，调制输入端与整流输出端连接，调制模块用于将来自整流输出端的第一直流电转换为第二直流电并对第二直流电进行调制；以及滤波模块，包括滤波输入端和滤波输出端，其中，滤波输入端与调制输出端连接，滤波输出端用于与半导体激光器连接，滤波模块用于将经由调制模块调制后的第二直流电滤除谐波分量转换为第三直流电以生成恒定电流。
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公开(公告)号：CN119710669A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311265865.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C22/73
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器的腔面镀膜方法，包括：解理半导体激光器芯片的腔面，形成解理面；通过射频离子源产生的等离子体清洗解理面，直至去除解理面表面的氧化物和污染为止；在清洗后的解理面上沉积钝化层。通过该半导体激光器的腔面镀膜方法，既可以有效抑制半导体激光器腔面光学灾变损伤，也不会在镀膜过程中造成电极退化和量子阱劣化等不良影响。
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公开(公告)号：CN105699709A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610149379.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G01R1/0425 , G01M11/0214
Abstract: 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一底座，其上表面有一定位槽和两个定位柱，该底座上同时具有两个定位块和一紧固螺钉孔；一控制板，所述控制板概似一门形，其上面的一侧对称开有两个定位孔，该两个定位孔与底座上的两个定位柱相匹配，所述控制板的另一端为接线柱，所述控制板的下表面有两个凸起的长方体压块，所述控制板的下表面还开有两个凹槽，将所述压块与所述接线柱相连；两个支撑块，固定在所述底座上的定位块的一侧；一固定压块，所述固定压块为Z形，上下两臂上各开有紧固螺钉孔，下臂的紧固螺钉孔用于将所述固定压块通过螺钉固定在底座上的紧固螺钉孔上，上臂的紧固螺钉孔通过螺钉压紧控制板，以起到固定单管芯激光二极管的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108360047B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810324671.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下片的第一矩形方口的第二长边一侧，所述L形的短边对应所述下片的第一矩形方口的第二短边一侧；一上片，所述上片的中间设置有一第二矩形方口，与所述第一矩形方口的位置对应；所述中片、第一滑块和第二滑块设置于上片、下片之间，并与上片、下片固定连接，第一滑块和第二滑块用于挤紧固定待电镀件。该夹具可兼容不同尺寸和不同形状的样品，实现同时对多个待镀件进行电镀，电镀效率高，并且可以达到很好的电镀均匀性。
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公开(公告)号：CN108360047A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810324671.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下片的第一矩形方口的第二长边一侧，所述L形的短边对应所述下片的第一矩形方口的第二短边一侧；一上片，所述上片的中间设置有一第二矩形方口，与所述第一矩形方口的位置对应；所述中片、第一滑块和第二滑块设置于上片、下片之间，并与上片、下片固定连接，第一滑块和第二滑块用于挤紧固定待电镀件。该夹具可兼容不同尺寸和不同形状的样品，实现同时对多个待镀件进行电镀，电镀效率高，并且可以达到很好的电镀均匀性。
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公开(公告)号：CN118726930A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410941104.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器镀膜夹具，包括镀膜架和倾角调整夹具；镀膜架包括压片组件，滑块组件以及待镀膜bar条，其中，滑块组件与待镀膜bar条沿压片组件的长边方向并列布设于压片组件的第一凹槽内；倾角调整夹具包括外框架，其中，外框架在沿第一方向上的侧面分别对称布设有第一固定槽与第二固定槽；镀膜架通过第一固定螺钉和第二固定螺钉和倾角调整夹具连接，其中，第一固定螺钉在第一固定槽内滑动，第二固定螺钉在第二固定槽内滑动。该装置结构简单且装取便捷，有效避免激光器表面被腔面薄膜影响而导致芯片短路。
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公开(公告)号：CN118367430A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410538737.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明提供了一种大功率半导体激光器真空解理装置，涉及半导体解理技术领域。该装置包括：框架；解理托装置，设于框架上，用于承托待解理的半导体外延片，其中，半导体外延片的P面预先制备有多道划痕；解理台装置，设于框架上，用于放置半导体外延片；解理刀装置，设于解理台装置的上方，用于通过划痕解理半导体外延片；其中，框架、解理托装置、解理台装置以及解理刀装置被置于超真空环境中，解理台装置位置固定，解理托装置和解理刀装置相对于解理台装置的位置可实现自动化调节，通过调节解理托装置和解理刀装置的位置，使解理刀装置对准半导体外延片的划痕，对半导体外延片进行解理，得到带F‑P腔面的bar条。
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公开(公告)号：CN107230932A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710572640.3
申请日：2017-07-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18
Abstract: 一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤：将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。
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